[发明专利]在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的鳍型图案；

在所述鳍型图案上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极间隔物；

在所述鳍型图案上的第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述第一栅极结构间隔开并包括第二栅极间隔物；

在所述第一栅极间隔物与所述第二栅极间隔物之间彼此间隔开的一对虚设间隔物，其中从所述鳍型图案的上表面到所述对虚设间隔物的上表面的高度小于从所述鳍型图案的所述上表面到所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物的每个的上表面的高度；

在所述对虚设间隔物之间的沟槽，所述沟槽包括由所述鳍型图案和所述对虚设间隔物限定的侧壁；以及

在所述沟槽中并包括第一绝缘膜和所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜的器件隔离膜，所述第一绝缘膜沿着所述沟槽的所述侧壁和底表面延伸，所述第一绝缘膜在所述沟槽的所述底表面上的厚度大于所述第一绝缘膜在所述沟槽的所述侧壁上的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一栅极结构的侧壁上、在所述第二栅极结构的侧壁上、以及在所述器件隔离膜上的层间绝缘膜，

其中所述第一绝缘膜的最上表面和所述第二绝缘膜的最上表面与所述层间绝缘膜接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜的最上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述对虚设间隔物的每个包括外间隔物和在所述外间隔物与所述器件隔离膜之间的内间隔物。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述外间隔物包括下部和所述下部上的上部，以及

其中所述外间隔物的所述下部的宽度大于所述外间隔物的所述上部的宽度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述外间隔物具有与所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物相同的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述对虚设间隔物的每个包括第一部分，所述第一部分具有随着所述第一部分离所述鳍型图案的所述上表面越远而连续减小的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述对虚设间隔物的每个包括在所述第一部分与所述鳍型图案之间的第二部分，以及

其中所述第二部分的宽度遍及所述第二部分离所述鳍型图案的所述上表面的不同距离是恒定的。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第一栅极间隔物与所述对虚设间隔物之间的第一外延图案；以及

在所述第二栅极间隔物与所述对虚设间隔物之间的第二外延图案，

其中从所述鳍型图案的所述上表面到所述第一外延图案和所述第二外延图案的每个的下表面的深度小于从所述鳍型图案的所述上表面到所述器件隔离膜的最下部的深度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中从所述鳍型图案的所述上表面到所述第一外延图案和所述第二外延图案的每个的所述下表面的所述深度小于从所述鳍型图案的所述上表面到所述第二绝缘膜的最下部的深度。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中从所述鳍型图案的所述上表面到所述第一外延图案和所述第二外延图案的每个的所述下表面的深度大于从所述鳍型图案的所述上表面到所述第二绝缘膜的最下部的深度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一绝缘膜的杨氏模量大于所述第二绝缘膜的杨氏模量。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述第一绝缘膜包括硅氮化物，以及

其中所述第二绝缘膜包括硅氧化物、硅碳化物(SiC)、硅碳氧化物(SiOC)、硅氮氧化物(SiON)或硅氧碳氮化物(SiOCN)中的一种。