[发明专利]一种电荷泵电路在审

专利信息
申请号: 201710884247.8 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107612317A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 黄明永;贾敏 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电荷 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电荷泵电路,特别是涉及一种新型的2.5V的电荷泵电路。

背景技术

图1为现有技术一种传统的2.5V四相位电荷泵的电路结构示意图,图2为图1中四相位电荷泵101的细部结构图。现有技术的2.5V四相位电荷泵包括多个四相位电荷泵101,起始时,CLK1T为低电平“0”时,CLK2T为高电平“1”,CLK3T为低电平“0”时,CLK4T为高电平“1”,由于CLK2T在CLK1T变低电平“0”之前即为高电平“1”,NMOS管M38、M39导通,节点A1、B1为高电平(图1),即图2节点A、B为高电平,当CK1T变低电平后,当CK1为高、CK2为低时,CCK为低,节点C的高压使NMOS管M10导通,NMOS电容M11、M12通过通过节点A的高电平充电,NMOS传输管M16、M17截止,当CK1为低、CK2为高时,CCK为高,由于NMOS电容M11、M12电压不能突变,节点A和B电压被抬高,NMOS管M10截止,节点B的高压使得NMOS传输管M16、M17导通,NMOS电容M11、M12通过NMOS传输管M16、M17向节点C和D放电,节点C和D的打压被抬高;如此反复,在时钟CK1、CK2的控制下在节点C、D获得高压输出。

然而,现有技术的2.5V四相位电荷泵存在如下缺点:

1)电荷泵的面积较大;

2)2.5V电压的建立时间较长;

3)2.5V电压的转换效率较低。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足,本发明之目的在于提供一种电荷泵电路,其可以减少电荷泵的面积,减少2.5V的建立时间,并提高2.5V电压的转换效率。

为达上述及其它目的,本发明提出一种一种电荷泵电路,包括:

时钟电路,用于产生时钟CLK、反相时钟CLKb、电压倍增的时钟CK及电压倍增的反相时钟CKb;

充放电电路,用于在输出电压倍增的时钟的控制下,通过PMOS电容的充放电产生脉冲高压;

传输电路,用于将该充放电电路产生的脉冲高压向负载传输;

衬底电压调整电路,用于对该传输电路的传输管的衬底电压进行调整以减小衬偏效应;

供电及负载,用于给整个电路供电及提供负载。

进一步地,该时钟电路包括第一时钟源(V1)、第六反相器(I6)、第七反相器(I7)以及第二时钟倍增电路(I2)、第三时钟倍增电路(I3)。

进一步地,该充放电电路包括第四至第七NMOS管(M4-M7)以及第二PMOS电容(PM2)、第三PMOS电容(PM3)。

进一步地,该传输电路包括第十PMOS管(M10)以及第十一PMOS管(M11)。

进一步地,该衬底电压调整电路包括第八PMOS管(M8)以及第九PMOS管(M9)。

进一步地,该充放电电路在输出电压倍增的时钟的控制下,通过第二PMOS电容(PM2)、第三PMOS电容(PM3)的充放电产生脉冲高压。

进一步地,该衬底电压调整电路用于对该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)的衬底电压进行调整以减小衬偏效应;

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