[发明专利]一种电荷泵电路在审

专利信息
申请号: 201710884247.8 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107612317A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 黄明永;贾敏 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种电荷泵电路,包括:

时钟电路,用于产生时钟CLK、反相时钟CLKb、电压倍增的时钟CK及电压倍增的反相时钟CKb;

充放电电路,用于在输出电压倍增的时钟的控制下,通过PMOS电容的充放电产生脉冲高压;

传输电路,用于将该充放电电路产生的脉冲高压向负载传输;

衬底电压调整电路,用于对该传输电路的传输管的衬底电压进行调整以减小衬偏效应;

供电及负载,用于给整个电路供电及提供负载。

2.如权利要求1所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该时钟电路包括第一时钟源(V1)、第六反相器(I6)、第七反相器(I7)以及第二时钟倍增电路(I2)、第三时钟倍增电路(I3)。

3.如权利要求2所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该充放电电路包括第四至第七NMOS管(M4-M7)以及第二PMOS电容(PM2)、第三PMOS电容(PM3)。

4.如权利要求3所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该传输电路包括第十PMOS管(M10)以及第十一PMOS管(M11)。

5.如权利要求4所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该衬底电压调整电路包括第八PMOS管(M8)以及第九PMOS管(M9)。

6.如权利要求5所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该充放电电路在输出电压倍增的时钟的控制下,通过第二PMOS电容(PM2)、第三PMOS电容(PM3)的充放电产生脉冲高压。

7.如权利要求6所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该衬底电压调整电路用于对该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)的衬底电压进行调整以减小衬偏效应。

8.如权利要求7所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该第一时钟源(V1)输出连接该第六反相器(I6)输入端,该第六反相器(I6)输出端与该反相器(I7)输入端、该第二时钟倍增电路(I2)的时钟输入端相连组成节点CLK,该第七反相器(I7)输出端与该第三时钟倍增电路(I3)的时钟输入端相连组成节点CLKb,电压源的输出与该第二时钟倍增电路(I2)、第三时钟倍增电路(I3)的电源正端、该第四NMOS管(M4)与该第五NMOS管(M5)的栅极和漏极、该第六PMOS管(M6)与第七PMOS管(M7)的源极相连组成电源节点vdd,该第二时钟倍增电路(I2)的时钟输出端与该第二PMOS电容(PM2)一端相连组成节点CK,该第三时钟倍增电路(I3)的时钟输出端与该第三PMOS电容(PM3)一端相连组成节点CKb,该第二PMOS电容(PM2)的另一端与该第七PMOS管(M7)源极、第六PMOS管(M6)栅极、第五NMOS管(M5)源极、第九PMOS管(M9)栅极、第十一PMOS管(M11)栅极、第十PMOS管(M10)源极相连组成节点A,该第三PMOS电容(PM3)的另一端与该第六PMOS管(M6)源极、第七PMOS管(M7)栅极、该第四NMOS管(M4)源极、该第八PMOS管(M8)栅极、该第十PMOS管(M10)栅极、该第十一PMOS管(M11)源极相连组成节点B,该第八PMOS管(M8)、第九PMOS管(M9)的衬底、漏极与该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)衬底相连,该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)的漏极与该供电及负载相连。

9.如权利要求8所述的一种电荷泵电路,其特征在于:时钟倍增电路包括反相器(I34)、PMOS电容(PM0)、PMOS管(M2、M3)以及NMOS管(M0、M1),用与将输入时钟CLK/CLKb转换为电压倍增的时钟CK/电压倍增的反相时钟CKb。

10.如权利要求9所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该PMOS管(M2)源极及反相器(I34)电源正端连接至电源正端,NMOS管(M1)源极及反相器(I34)电源负端连接至电源负端,反相器(I34)输入端和PMOS管(M3)的栅极、NMOS管(M1)的栅极相连组成输入节点A,反相器(I34)输出端与PMOS电容(PM0)的一端相连组成节点CCS,PMOS电容(PM0)的另一端与PMOS管(M2)漏极、衬底以及PMOS管(M3)源极、衬底相连组成节点VDDx2,PMOS管(M3)漏极与NMOS管(M0)漏极以及PMOS管(M2)栅极相连组成输出节点B,NMOS管(M0)源极连接NMOS管(M1)漏极,NMOS管(M0)栅极连接电源,NMOS管(M0、M1)的衬底接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710884247.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top