[发明专利]一种电荷泵电路在审
| 申请号: | 201710884247.8 | 申请日: | 2017-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN107612317A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
| 发明(设计)人: | 黄明永;贾敏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电荷 电路 | ||
1.一种电荷泵电路,包括:
时钟电路,用于产生时钟CLK、反相时钟CLKb、电压倍增的时钟CK及电压倍增的反相时钟CKb;
充放电电路,用于在输出电压倍增的时钟的控制下,通过PMOS电容的充放电产生脉冲高压;
传输电路,用于将该充放电电路产生的脉冲高压向负载传输;
衬底电压调整电路,用于对该传输电路的传输管的衬底电压进行调整以减小衬偏效应;
供电及负载,用于给整个电路供电及提供负载。
2.如权利要求1所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该时钟电路包括第一时钟源(V1)、第六反相器(I6)、第七反相器(I7)以及第二时钟倍增电路(I2)、第三时钟倍增电路(I3)。
3.如权利要求2所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该充放电电路包括第四至第七NMOS管(M4-M7)以及第二PMOS电容(PM2)、第三PMOS电容(PM3)。
4.如权利要求3所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该传输电路包括第十PMOS管(M10)以及第十一PMOS管(M11)。
5.如权利要求4所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该衬底电压调整电路包括第八PMOS管(M8)以及第九PMOS管(M9)。
6.如权利要求5所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该充放电电路在输出电压倍增的时钟的控制下,通过第二PMOS电容(PM2)、第三PMOS电容(PM3)的充放电产生脉冲高压。
7.如权利要求6所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该衬底电压调整电路用于对该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)的衬底电压进行调整以减小衬偏效应。
8.如权利要求7所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该第一时钟源(V1)输出连接该第六反相器(I6)输入端,该第六反相器(I6)输出端与该反相器(I7)输入端、该第二时钟倍增电路(I2)的时钟输入端相连组成节点CLK,该第七反相器(I7)输出端与该第三时钟倍增电路(I3)的时钟输入端相连组成节点CLKb,电压源的输出与该第二时钟倍增电路(I2)、第三时钟倍增电路(I3)的电源正端、该第四NMOS管(M4)与该第五NMOS管(M5)的栅极和漏极、该第六PMOS管(M6)与第七PMOS管(M7)的源极相连组成电源节点vdd,该第二时钟倍增电路(I2)的时钟输出端与该第二PMOS电容(PM2)一端相连组成节点CK,该第三时钟倍增电路(I3)的时钟输出端与该第三PMOS电容(PM3)一端相连组成节点CKb,该第二PMOS电容(PM2)的另一端与该第七PMOS管(M7)源极、第六PMOS管(M6)栅极、第五NMOS管(M5)源极、第九PMOS管(M9)栅极、第十一PMOS管(M11)栅极、第十PMOS管(M10)源极相连组成节点A,该第三PMOS电容(PM3)的另一端与该第六PMOS管(M6)源极、第七PMOS管(M7)栅极、该第四NMOS管(M4)源极、该第八PMOS管(M8)栅极、该第十PMOS管(M10)栅极、该第十一PMOS管(M11)源极相连组成节点B,该第八PMOS管(M8)、第九PMOS管(M9)的衬底、漏极与该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)衬底相连,该第十PMOS管(M10)、第十一PMOS管(M11)的漏极与该供电及负载相连。
9.如权利要求8所述的一种电荷泵电路,其特征在于:时钟倍增电路包括反相器(I34)、PMOS电容(PM0)、PMOS管(M2、M3)以及NMOS管(M0、M1),用与将输入时钟CLK/CLKb转换为电压倍增的时钟CK/电压倍增的反相时钟CKb。
10.如权利要求9所述的一种电荷泵电路,其特征在于:该PMOS管(M2)源极及反相器(I34)电源正端连接至电源正端,NMOS管(M1)源极及反相器(I34)电源负端连接至电源负端,反相器(I34)输入端和PMOS管(M3)的栅极、NMOS管(M1)的栅极相连组成输入节点A,反相器(I34)输出端与PMOS电容(PM0)的一端相连组成节点CCS,PMOS电容(PM0)的另一端与PMOS管(M2)漏极、衬底以及PMOS管(M3)源极、衬底相连组成节点VDDx2,PMOS管(M3)漏极与NMOS管(M0)漏极以及PMOS管(M2)栅极相连组成输出节点B,NMOS管(M0)源极连接NMOS管(M1)漏极,NMOS管(M0)栅极连接电源,NMOS管(M0、M1)的衬底接地。
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