[发明专利]显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法

说明书

本发明提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管制备方法。该方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一金属层，对第一金属层进行图形化处理，得到第一金属栅极层；在第一金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第二金属层，对第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，第一、二金属层的材料采用钼、钽、铝、钨中的至少一种；在第二金属层上形成第三绝缘层；在第三绝缘层上形成第三金属层，并对第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极；在第二绝缘层上形成使第一、二金属栅极层连接的第一过孔，在第三绝缘层上形成使源极和漏极与半导体层连接的第二过孔。

技术领域

本发明涉及显示面板领域，特别涉及一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

在各种显示装置的像素单元中，通过施加驱动电压来驱动显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)被大量应用。在TFT的有源层一直使用稳定性较好的非晶硅(a-Si)材料，但是a-Si材料的载流子迁移率较低，不能满足大尺寸、高分辨率显示面板的要求。

LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)技术基于多晶硅的高迁移率，能够直接在基板上制成高速CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动电路系统，这样外部的印制电路板接脚亦较少，接线的连接(Bonding)点位较少，使显示面板产生缺陷的几率减小，提升了产品的可靠性，增加了耐用度。相较于非晶硅(a-Si)薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)具有更加优异的物理电学性能：LTPS-TFT的TFT组件较a-Si更小，因而可使光的穿透率提高，进而可减小背光负荷，延长液晶显示面板的寿命。因此，LTPS技术在LCD行业得到广泛应用。然而，在制作LTPS-TFT的过程中，其生产工艺温度可达600℃，熔点相对较低的金属无法使用，此外，因市场对高性能大尺寸面板的需求，大尺寸面板在生产时，面板尺寸增加导致栅极金属走线过长，相应的电阻增加，使得栅极的阻抗(Loading)过大，无法保证面板画面均一性，如果直接将栅极金属膜层加厚，基板因应力变大产生破片，不具有实际生产意义。因此需要使用低电阻率的金属，铝等熔点低、电阻率相对较低的金属无法使用，目前工艺栅极走线使用钼。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，能够将LTPS技术应用于大尺寸面板生产中。

本发明一方面提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理，以得到第一金属栅极层；

在所述第一金属层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，其中，所述第一金属层和第二金属层的材料采用钼、钽、铝、钨中的至少一种，所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接；

在所述第二金属层上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成第三金属层，并对所述第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极与所述半导体层连接；

在所述第二绝缘层上形成第一过孔，其中，所述第一过孔用于使所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接；以及

在所述第三绝缘层上形成第二过孔，其中，所述第二过孔用于使所述源极和所述漏极与所述半导体层连接。