[发明专利]显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201710883918.9 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107481938B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张嘉伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成半导体层；
在所述半导体层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理，以得到第一金属栅极层；
在所述第一金属层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，其中，所述第一金属层和第二金属层的材料采用钼、钽、铝、钨中的至少一种，所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接；
在所述第二金属层上形成第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成第三金属层，并对所述第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极与所述半导体层连接；
在所述第二绝缘层上形成第一过孔，其中，所述第一过孔用于使所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接；以及
在所述第三绝缘层上形成第二过孔，其中，所述第二过孔用于使所述源极和所述漏极与所述半导体层连接。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成半导体层的步骤具体包括；
在所述衬底基板上依次形成缓冲层和非晶硅层；
对所述非晶硅层进行退火处理，以使所述非晶硅层转变为多晶硅层；
对所述多晶硅层进行离子掺杂，以形成所述半导体层。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述非晶硅层进行退火处理的步骤具体包括：
通过镭射激光退火工艺对所述非晶硅层进行退火处理；或者
通过准分子激光退火工艺对所述非晶硅层进行退火处理。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括氮化硅；及/或
所述制备方法还包括：
通过所述第一绝缘层中的氢作为氢源对所述半导体层进行氢化。
5.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氮化硅或氧化硅中的至少一种。
6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的制备方法制备的低温多晶硅薄膜晶体管。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的制备方法制备的低温多晶硅薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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