[发明专利]拍摄单元有效
申请号: | 201710883181.0 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN107768389B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 石田知久 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 拍摄 单元 | ||
本发明的第1方式中的拍摄单元具有:拍摄芯片,具有:具有像素的第1面;与第1面为相反面且设有输出从像素读出的像素信号的输出部的第2面;透光基板,其与第1面相对地配置并具有布线图案;安装基板,其与第2面相对地配置并支承拍摄芯片;转送部,其配置于安装基板,并将从输出部输出的像素信号向布线图案转送。本发明的第2方式中的拍摄装置具有上述拍摄单元。第2方式中的拍摄单元具有:拍摄芯片,其具有受光面和与受光面相反侧的安装面;安装基板,其与拍摄芯片的安装面相对地配置,并具有与拍摄芯片连接的布线图案;透光基板,其与拍摄芯片的受光面相对地配置;连接部,其将安装基板的布线图案与透光基板连接起来。
本发明申请是国际申请日为2013年07月19日、国际申请号为 PCT/JP2013/004420、进入中国国家阶段的国家申请号为 201380045985.3、发明名称为“拍摄单元、拍摄装置、及拍摄单元的制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及拍摄单元、拍摄装置、及拍摄单元的制造方法。
背景技术
已知COG(Chip on Glass:玻璃覆晶封装)构造的拍摄单元。COG 构造的拍摄单元通过倒装芯片安装(flip chip mounting)技术与透光基板和拍摄芯片直接连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-246152号公报
发明内容
当在倒装芯片安装工序中加热或冷却透光基板及拍摄芯片时,在拍摄芯片产生弯曲。由此由拍摄芯片的弯曲导致对凸块施加应力,凸块有可能发生破损。
本发明的第1方式中的拍摄单元,具有:拍摄芯片,具有:具有像素的第1面;与第1面为相反面且设有输出从像素读出的像素信号的输出部的第2面;透光基板,其与第1面相对地配置并具有布线图案;安装基板,其与第2面相对地配置并支承拍摄芯片;转送部,其配置于安装基板,将从输出部输出的像素信号向布线图案转送。
本发明的第2方式中的拍摄单元,具有:拍摄芯片,其具有受光面和与受光面相反侧的安装面;安装基板,其与拍摄芯片的安装面相对地配置并具有与拍摄芯片连接的布线图案;透光基板,其与拍摄芯片的受光面相对地配置;以及连接部,其将安装基板的布线图案与透光基板连接起来。
本发明的第3方式中的拍摄装置具有上述拍摄单元。
本发明的第4方式中的拍摄单元的制造方法,具有:输出部形成阶段,将与形成于晶圆的像素电连接、用于输出像素的输出即像素信号的输出部形成于晶圆的第2面上;安装基板设置阶段,与第2面相对地设置安装基板;研磨阶段,研磨晶圆的与第2面相反侧的面而形成使入射光向像素入射的第1面;单片化阶段,将晶圆及安装基板以芯片为单位分离而单片化;透光基板设置阶段,将在与像素对应的区域的外侧即周边区域设有布线图案的透光基板设置为与第1面相对并覆盖像素,并且通过转送部将布线图案和输出部连接起来。
此外,上述的发明的概要并未列举本发明的所需特征的全部。另外,这些特征群的子组合也还能够成为发明。
附图说明
图1是表示本实施方式的拍摄单元的结构的图。
图2是表示本实施方式的拍摄装置的结构的框图。
图3是说明拍摄单元的制造方法的图。
图4是说明拍摄单元的制造方法的图。
图5是表示拍摄单元的其他结构的图。
具体实施方式
以下,通过发明的实施方式说明本发明,但以下的实施方式并不限定涉及权利要求的范围的发明。另外,在实施方式中说明的特征的全部组合未必是发明的解决手段所必须的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710883181.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的