[发明专利]拍摄单元有效
申请号: | 201710883181.0 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN107768389B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 石田知久 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拍摄 单元 | ||
1.一种拍摄单元,其特征在于,具有:
光学元件,其具有光所入射的入射面和将入射到所述入射面的光射出的射出面,所述射出面是与所述入射面相反侧的面,在所述射出面形成有第1布线;
拍摄元件,其具有光电转换部和输出部,所述光电转换部将来自所述射出面的光转换为电荷且配置在与所述射出面相对的第1面,所述输出部输出基于由所述光电转换部转换得到的电荷的信号且配置在与所述第1面相反侧的第2面;
基板,其配置有所述拍摄元件,且具有将来自所述输出部的所述信号输出的第2布线;以及
接合部,其与所述光学元件和所述基板一起形成用于密封所述拍摄元件的密封空间,
所述接合部具有将所述第1布线和所述第2布线电连接的连接部,
所述光学元件、所述拍摄元件以及所述基板分别具有不同的热膨胀系数,
所述基板的热膨胀系数与所述光学元件的热膨胀系数之差比所述拍摄元件的热膨胀系数与所述光学元件的热膨胀系数之差小。
2.根据权利要求1所述的拍摄单元,其特征在于,
所述拍摄元件在第1方向上配置在所述光学元件与所述基板之间,
所述接合部在与所述第1方向不同的第2方向上夹着所述拍摄元件而形成。
3.根据权利要求2所述的拍摄单元,其特征在于,
所述接合部包含树脂。
4.根据权利要求2所述的拍摄单元,其特征在于,
还具备信号处理芯片,所述信号处理芯片与所述第1布线连接,并对所述信号进行处理。
5.根据权利要求4所述的拍摄单元,其特征在于,
所述信号处理芯片在所述第2方向上的宽度比所述拍摄元件在所述第2方向上的宽度窄。
6.根据权利要求5所述的拍摄单元,其特征在于,
所述信号处理芯片在所述第2方向上与所述拍摄元件并列地配置。
7.根据权利要求4所述的拍摄单元,其特征在于,
所述信号处理芯片具有第1信号处理芯片和与所述第1信号处理芯片不同的第2信号处理芯片。
8.根据权利要求7所述的拍摄单元,其特征在于,
所述第1信号处理芯片和所述第2信号处理芯片在所述第2方向上夹着所述拍摄元件地配置。
9.根据权利要求4所述的拍摄单元,其特征在于,
在所述拍摄元件和所述基板之间具有导热剂。
10.根据权利要求9所述的拍摄单元,其特征在于,
具有将来自所述基板的热散放的散热部件。
11.根据权利要求10所述的拍摄单元,其特征在于,
所述散热部件将来自所述信号处理芯片的热散放。
12.一种拍摄装置,其具有权利要求1至11中任一项所述的拍摄单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的