[发明专利]基板处理装置

说明书

提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。有关实施方式的基板处理装置具备：处理室(20)，空气从上方向下方流动；支承部(40)，设在处理室(20)内，支承具有被处理面(Wa)的基板(W)；加热部(80)，避开支承部(40)的上方而设置，射出加热用的光；光学部件(90)，避开支承部(40)的上方而设在处理室(20)内，将由加热部(80)射出并通过支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被处理面(Wa)引导。

技术领域

本发明涉及基板处理装置。

背景技术

基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中将晶片或液晶基板等的基板的被处理面用药液处理、将药液处理后的基板的被处理面用漂洗液冲洗、将漂洗液处理后的基板干燥的装置。

在干燥处理工序中，由于近年来的半导体的伴随着高集成化及高容量化的微细化，例如发生存储单元或栅极周围的图案破坏的问题。这是起因于图案彼此的间隔及构造、漂洗液的表面张力等。

所以，为了抑制上述的图案破坏，提出了使用表面张力比漂洗液(例如DIW：超纯水)小的挥发性溶媒(例如IPA：2－丙醇，异丙醇)的基板干燥方法。在该基板干燥方法中，将基板的被处理面上的漂洗液替换为挥发性溶媒而进行基板干燥。此时，为了促进干燥，有用位于基板的被处理面的上方的灯将基板加热而进行基板干燥的情况。

此外，在药液处理工序中，有进行使用硫酸或磷酸等作为药液的150℃以上的高温处理的情况。在此情况下，由于将药液加热到150℃以上而用于处理，所以由位于基板的被处理面的上方的灯将基板的被处理面上的药液加热到150℃以上的高温。

但是，在上述干燥处理工序及药液处理工序中，由于灯位于基板的被处理面的上方，所以在基板处理中处理液的雾或微粒附着在灯表面上。有该处理液的雾或微粒等的附着物从灯表面落下而附着到基板的被处理面上、基板被污染的情况。

另一方面，在通常的基板处理装置中，设有ULPA(Ultra Low Penetration Air、超高效空气)过滤器或HEPA(High Efficiency Particulate Air、高效粒子空气)过滤器。通过了该过滤器的清洁的空气作为下降流(垂直层流)在基板处理装置内流动，基板处理装置内被保持为清洁。由此，能够抑制微粒附着在基板处理装置内特别是基板的被处理面上。

但是，在上述基板处理装置中，由于灯位于基板的被处理面的上方，所以从过滤器朝向基板的被处理面的清洁的空气被灯妨碍，没有被向基板的被处理面充分地供给。因此，难以从基板的被处理面或其周围将微粒除去，基板被污染。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。

有关本发明的实施方式的基板处理装置具备：处理室，空气从上方向下方流动；支承部，设在处理室内，支承具有被处理面的基板；加热部，避开支承部的上方而设置，射出加热用的光；光学部件，避开支承部的上方而设在处理室内，将由加热部射出并通过了支承部的上方的光向被支承部所支承的基板的被处理面引导。

根据有关上述实施方式的基板处理装置，能够抑制基板的污染。

附图说明

图1是表示有关第1实施方式的基板处理装置的概略结构的图。

图2是表示有关第1实施方式的基板处理部的概略结构的图。

图3是表示有关第1实施方式的基板处理部的基板处理的流程的流程图。

图4是表示有关第2实施方式的基板处理装置的概略结构的图。

图5是表示有关第2实施方式的相邻的两个基板处理部的概略结构的图。

图6是表示有关第3实施方式的基板处理部的一部分的图。