[发明专利]一种阵列基板和阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：

在基板上形成栅极金属，并在栅极金属上方形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层的上方依次形成非晶硅层、N型非晶硅层和金属层；

在金属层的上方形成光阻层，通过第一道光罩形成位于所述栅极金属上方的第一非晶硅层、第一N型非晶硅层以及相对设置的源极金属和漏极金属，以形成开关组件；同时，在栅极绝缘层延伸部上蚀刻得到第二非晶硅层、第二N型非晶硅层和光传感金属，以形成光传感器；

在所述源极金属、漏极金属和光传感金属的上方形成光传感层和钝化层；

通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层的步骤还包括：

通过第二道光罩将开关组件和光传感器之间的光传感层和钝化层蚀刻清除，形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层；

在所述第一钝化层对应所述漏极金属的上方蚀刻出一个洞穿所述第一光传感层并延伸至所述漏极金属上表面的凹槽；

将所述第二钝化层蚀刻形成位于所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；

清除所述光阻层，在所述第一钝化层上方形成第一电极层，并在所述第二钝化层的上方形成第二电极层。

3.如权利要求2所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；

所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽的上方；

所述第一电极层和第二电极层在同一层；

所述第二道光罩为半色调掩膜光罩。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板，

开关组件，设置在所述基板上；

光传感器，设置在所述基板上、开关组件的一侧；

光传感金属，设置在所述光传感器下部；

所述开关组件包括与所述光传感金属在同一层的源极金属和漏极金属；

所述开关组件包括形成在所述源极金属和漏极金属上方的第一光传感层，以及形成在所述第一光传感层上方的第一钝化层；

所述光传感器包括形成在所述光传感金属上方的第二光传感层，以及形成在所述第二光传感层上方的第二钝化层；

所述第一光传感层和第二光传感层在同一层，所述第一钝化层和第二钝化层在同一层；

所述开关组件包括漏极金属；

所述光传感器包括形成在所述栅极绝缘层延伸部上的第二非晶硅层和第二N型非晶硅层，所述光传感金属形成在所述第二N型非晶硅层上方；

所述第一非晶硅层和第二非晶硅层在同一层，所述第一N型非晶硅层和第二N型非晶硅层在同一层；

所述第一钝化层对应所述漏极金属的上方形成有第一电极层；

所述第一钝化层对应漏极金属的上方设置有凹槽，所述凹槽从所述第一钝化层的上表面开始，洞穿所述第一光传感层，并延伸至所述漏极金属的上表面；

所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；

所述第二钝化层上形成有第二电极层；

所述第二钝化层包括在所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；

所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽的上方。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板，

开关组件，设置在所述基板上；

光传感器，设置在所述基板上、开关组件的一侧；

光传感金属，设置在所述光传感器下部；

所述开关组件包括与所述光传感金属在同一层的源极金属和漏极金属。