[发明专利]一种阵列基板和阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板和阵列基板的制造方法。

背景技术

随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

而为了能够让阵列基板能够感知外界的光线强弱而进行自主调节亮度和对比度，在某些阵列基板中设置了光传感器，但是光传感器和开关组件的区别使得，两者难以通用光罩，从而增加了光罩制程，使得生产效率不高。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种节约了光罩制程，提高了生产效率的阵列基板和阵列基板的制造方法。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括步骤：

在基板上形成栅极金属，并在栅极金属上方形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层的上方依次形成非晶硅层、N型非晶硅层和金属层；

在金属层的上方形成光阻层，并通过第一道光罩形成位于所述栅极金属上方的第一非晶硅层、第一N型非晶硅层以及相对设置的源极金属和漏极金属，以形成开关组件；同时，在栅极绝缘层延伸部的上方蚀刻得到第二非晶硅层、第二N型非晶硅层和光传感金属，以形成光传感器；

在所述源极金属、漏极金属和光传感金属的上方形成光传感层和钝化层；

通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层。本实施方案中，该开关组件包括第一光传感层和第一钝化层，而该光传感器包括第二光传感层和第二钝化层，且两者同一层设置，如此，在形成该第一光传感层、第一钝化层和第二光传感层、第二钝化层时，由于两边两组同层的结构，因而可以通过一道光罩制程完成，减少了制程浪费，提高生产效率。

进一步的，所述通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层的步骤还包括：

通过第二道光罩将开关组件和光传感器之间的光传感层和钝化层蚀刻清除，形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层；

在所述第一钝化层对应所述漏极金属的上方蚀刻出一个洞穿所述第一光传感层并延伸至所述漏极金属上表面的凹槽；

将所述第二钝化层蚀刻形成位于所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；

清除所述光阻层，在所述第一钝化层上方形成第一电极层，并在所述第二钝化层的上方形成第二电极层。本实施方案中，该第一光传感层和第二光传感层，该第一钝化层和第二钝化层，该凹槽和通槽等，两两可以通过一道光罩制程完成，甚至，上述几组同层机构可以通过一道光罩制程即可完成，如此，可以极大的减少光罩制程，从而提高生产效率；另外，本发明的半色调掩膜光罩，在蚀刻光传感层、钝化层、凹槽和通槽时，对应通槽的位置，该处的半透膜与其他镂空处的半透膜的穿透率不同，从而实现，该通槽和其他位置的蚀刻程度的区别；该区别的实现，使得一道光罩制程实现上述位置的形成是可行的，提高了生产效率。

进一步的，所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；

所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽的上方；

所述第一电极层和第二电极层在同一层；所述第二道光罩为半色调掩膜光罩。本实施方案中，该第一钝化层上设置有一凹槽，该凹槽洞穿该第一光传感层便延伸至该漏极金属的上表面，如此，该第一电极层除了本来功能不变以外，由于将该第一电极层与漏极金属连通，使得该第一传感层、漏极金属和第一电极层不会形成光传感器功能，避免增加太多功能，而影响开关组件的原有功能；另外，该光传感器的功能实现包括第二光传感层、第二电极层和光传感金属，通过感知该第二电极层和光传感层的电信号变化，可以判断出外界环境的光线变化，从而完成阵列基板亮度和对比度的调节。

本发明还公开了一种阵列基板，包括：