[发明专利]四面扁平无引脚半导体封装件、其制造方法及其制造用遮蔽片

说明书

本发明涉及四面扁平无引脚半导体封装件、其制造方法及其制造用遮蔽片，该四面扁平无引脚半导体封装件实现优秀的管芯接合性及配线接合性，并能够有效地抑制密封树脂的泄漏，并可提高所述四面扁平无引脚半导体封装件的可靠性和在制造工艺中的生产率和效率，本发明的四面扁平无引脚半导体封装件通过在遮蔽片压印引线框的层压工艺，在遮蔽片的粘结层形成接触深度而制造。

相关申请的交叉引用

本申请根据35USC§119(a)要求2017年3月10日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2017-0030580的权益，其全部公开内容通过引用并入本文用于所有目的。

技术领域

以下描述涉及四面扁平无引脚(QFN)半导体封装件、制造该QFN半导体封装件的方法及QFN半导体封装件制造用遮蔽片(mask sheet)，更详细地涉及能够实现优异的管芯接合性及配线接合性，并可有效地防止密封树脂的泄漏，从而提高其可靠性和在制造工艺中的生产率和效率的QFN半导体封装件、制造该QFN半导体封装件的方法及QFN半导体封装件制造用遮蔽片。

背景技术

一般，半导体器件由半导体集成电路(IC)芯片、主机板及用于连接上述两个元件的多种布线基底构成，通常在连接至主机板之前，半导体IC芯片直接附着至基底或与基底组装成半导体封装件的形式，然后连接至主机板。

近几十年，被个人电脑(PC)主导的半导体技术的主要重点在于半导体电路的集成，但是由于移动设备所需求的电子部件的更轻薄短小化倾向，更多的重点在于通过使半导体封装件小型化和薄型化的集成度的改善，并且用于该目的的半导体器件的制造工艺还持续变化。

例如，预期轻薄短小及高价值的封装技术主导未来市场，所述技术例如，四面扁平无引脚(QFN)封装、堆叠式芯片级封装(CSP)、晶圆级封装(WLP)、倒装芯片裸管芯(FlipChip Bare Die)、细间距球栅阵列(BGA)、多芯片封装(MCP)、模塑互联基底(MIS)封装等。

在以上技术中，QFN封装件(其是CSP的一种)的尺寸小，这可减少基底上的连接区域，并且可实现大量的负载容量，从而最终使主机板的空间最大化。然而，QFN封装件的封装工艺必须在其中电连接部暴露于结构的下部的状态下进行，因此在制造工艺中必须利用粘合片掩蔽露出部分。

该QFN半导体封装件的制造方法简要地由以下操作组成。

使遮蔽片附着至引线框的一个表面，然后将半导体芯片单独地安装于形成在引线框上的半导体元件安装部(管芯附着焊盘(pad)或引线焊盘)上。

经由接合配线将布置在引线框的各个半导体芯片安装部周围的引线电连接至半导体芯片。

利用密封树脂对安装于引线框上的半导体芯片进行密封。

将粘合片从引线框剥离以形成其中布置有QFN封装件的QFN单元。

沿着各个QFN封装件的外周对该QFN单元进行锯切，来制造单独QFN半导体封装件。

此外，用于制造QFN半导体封装件的常规遮蔽片是根据形成在片上的接合层或粘结层的物理和化学性质在室温(20至35℃)下附着至引线框的常温粘结片，或通过在与引线框接触的同时将其加热到任意温度(170℃或更高)附着至引线框的热粘结片。

本领域已知的常规常温接合片的接合组合物主要由丙烯酸类物质、硅酮类等构成，热粘结片的粘结剂组合物由热固性树脂或热塑性树脂构成，主要有环氧树脂、聚酰亚胺树脂、环氧-橡胶组合物、硅氧烷-酰亚胺组合物等。

但是，常温片由于接合层的压敏特性可容易地附着至引线框。然而，由于在高温下的保持力和弹性模量不足，导致在配线接合工艺期间，热压接合强度被分散，使得配线的接合强度可能降低，并且在密封工艺期间可能容易发生密封树脂泄漏。此外，常温片无法耐受由于高温工艺的热循环的劣化以及发生内聚破坏，使得严重污染半导体器件的重要问题无法从根本上解决。