[发明专利]四面扁平无引脚半导体封装件、其制造方法及其制造用遮蔽片

权利要求书

1.一种四面扁平无引脚半导体封装件，其通过在遮蔽片上压印引线框的层压工艺，通过在所述遮蔽片的粘结层上形成0.5μm至3μm的接触深度而制造，其通过在所述引线框与所述粘结层之间的接触深度而具有夹持效果，

其中，所述层压工艺包括：

第一步骤，在能够沿垂直方向加压和加热的加压装置中，使四面扁平无引脚半导体用金属引线框与所述遮蔽片对齐；

第二步骤，在30℃至220℃的温度下，进行15秒或更短的预热处理；

第三步骤，在200℃至250℃的温度下加热所述遮蔽片的表面，在190℃至230℃的温度下加热所述引线框的表面，施加1巴至3巴的压力5秒至15秒，来使所述遮蔽片附着至所述引线框。

2.根据权利要求1所述的四面扁平无引脚半导体封装件，其中，所述遮蔽片包括基膜和在所述基膜的一个或两个表面上的热塑性聚酰亚胺粘结层，所述热塑性聚酰亚胺粘结层的玻璃化转变温度为150℃至230℃，在主链中包含酰胺基或醚基。

3.根据权利要求2所述的四面扁平无引脚半导体封装件，其中，所述遮蔽片的所述基膜为由聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、或聚醚酰亚胺制成的膜，由金、银、铜、铂、铝、镁、钛、铬、锰、铁、钴、镍、锌、钯、铟或锡制成的箔，或包含以上金属作为主要组分的合金箔或镀箔。

4.根据权利要求2所述的四面扁平无引脚半导体封装件，其中，所述遮蔽片的所述基膜的厚度为7μm至50μm，所述基膜在150℃至230℃的温度下的热膨胀系数为5ppm/℃至50ppm/℃。

5.根据权利要求2所述的四面扁平无引脚半导体封装件，其中所述热塑性聚酰亚胺粘结层在主链中包含羟基和羧基中的一种。

6.一种制造四面扁平无引脚半导体封装件的方法，所述四面扁平无引脚半导体封装件通过在遮蔽片上压印引线框的层压工艺，来在所述遮蔽片的粘结层上形成0.5μm至3μm的接触深度而制造，其通过在所述引线框与所述粘结层之间的接触深度而具有夹持效果，

其中，所述层压工艺包括如下步骤：

第一步骤，在能够沿垂直方向加压和加热的加压装置中，使四面扁平无引脚半导体用金属引线框与所述遮蔽片对齐；

第二步骤，在30℃至220℃温度下，进行15秒或更短的预热处理；

第三步骤，在200℃至250℃的温度下加热所述遮蔽片的表面，在190℃至230℃的温度下加热所述引线框的表面，施加1巴至3巴的压力5秒至15秒，来使所述遮蔽片附着至所述引线框。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述遮蔽片包括基膜及设置于所述基膜的一个或两个表面上的厚度为1μm至10μm的热塑性聚酰亚胺粘结层，所述热塑性聚酰亚胺粘结层的玻璃化转变温度为150℃至230℃，在主链中包含酰胺基或醚基。

8.根据权利要求6和7中任一项所述的方法，包括：

所述层压工艺；

将半导体芯片接合至所述遮蔽片所附着的所述引线框；

使所述半导体芯片与配线接合和连接；

用密封树脂对所述半导体芯片进行密封；和

完成所述密封之后，从所述引线框剥离并去除所述遮蔽片。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述热塑性聚酰亚胺粘结层在主链中包含羟基和羧基中的一种。