[发明专利]确定通过功率开关的电流的方法和系统及功率开关电路在审

专利信息
申请号: 201710866690.2 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN107861056A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 拉伊纳尔德·桑德;斯特凡·莱森海默;斯特凡·米斯林格 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R31/327 分类号: G01R31/327;G01R31/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 康建峰,杜诚
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 确定 通过 功率 开关 电流 方法 系统 开关电路
【权利要求书】:

1.一种功率开关电路,包括:

功率开关,其中,所述功率开关包括功率开关输出端和功率开关输入端;

电流路径,其中,所述电流路径包括固有阻抗,以及所述电流路径将所述功率开关输出端连接至地;

第一电流感测端子和第二电流感测端子,其中,所述第一电流感测端子和所述第二电流感测端子被配置为确定所述电流路径中的电流量;以及

温度传感器,其中,所述温度传感器被配置为确定所述电流路径的温度。

2.根据权利要求1所述的功率开关电路,其中,所述第一电流感测端子连接至所述功率开关输出端,以及所述第二电流感测端子连接至地。

3.根据权利要求1所述的功率开关电路,

其中,所述电流路径是包括第一固有电阻的第一电流路径,以及所述温度传感器是第一温度传感器;

以及还包括:

第二电流路径,其中,所述第二电流路径包括第二固有电阻,以及所述第二电流路径将所述功率开关输入端连接至电源电压;

第三电流感测端子和第四电流感测端子,其中,所述第三电流感测端子和所述第四电流感测端子被配置为确定所述第二电流路径中的电流量;以及

第二温度传感器,其中,所述第二温度传感器被配置为确定所述第二电流路径的温度。

4.根据权利要求3所述的功率开关电路,其中,所述第三电流感测端子连接至所述功率开关输入端,以及所述第四电流感测端子连接至所述电源电压。

5.根据权利要求1所述的功率开关电路,其中,所述功率开关是第一功率开关,并且还包括第二功率开关,其中,所述第二功率开关包括第二功率开关输出端和第二功率开关输入端,以及其中:

所述第二功率开关输出端连接至所述第一功率开关输入端,

所述第二功率开关输入端连接至电源电压。

6.根据权利要求5所述的功率开关电路,

其中,所述电流路径是包括第一固有电阻的第一电流路径,以及所述温度传感器是第一温度传感器;

其中,所述第二功率开关输入端至所述电源电压的连接包括具有第二固有阻抗的第二电流路径,并且还包括:

第三电流感测端子和第四电流感测端子,其中,所述第三电流感测端子和所述第四电流感测端子被配置为确定所述第二电流路径中的电流量;以及

第二温度传感器,其中,所述第二温度传感器被配置为确定所述第二电流路径的温度。

7.根据权利要求6所述的功率开关电路,其中,所述第三电流感测端子连接至所述功率开关输入端,以及所述第四电流感测端子连接至所述电源电压。

8.根据权利要求2所述的功率开关电路,还包括所述功率开关电路的输出端子,其中,所述电流路径将所述功率开关输出端连接至所述功率开关电路的输出端子,以及所述第二电流感测端子连接至所述功率开关电路的输出端子。

9.根据权利要求1所述的功率开关电路,其中,所述功率开关是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

10.一种用于确定通过功率开关的电流的系统,包括:

测量单元;以及

电路,所述电路包括:

所述功率开关,其中,所述功率开关包括功率开关输出端和功率开关输入端;

电流路径,其中,所述电流路径包括固有阻抗,并且所述电流路径将所述功率开关输出端连接至地;

第一电流感测端子和第二电流感测端子,其中,所述第一电流感测端子和所述第二电流感测端子被配置为检测所述电流路径中的电流量;以及

温度传感器,其中,所述温度传感器被配置为检测所述电流路径的温度;以及

其中,所述测量单元连接至所述第一电流感测端子、所述第二电流感测端子和所述温度传感器。

11.根据权利要求10所述的系统,其中,所述功率开关还包括功率开关栅极,以及所述测量单元还包括处理器和栅极控制输出端,其中,所述栅极控制输出端连接至所述功率开关栅极,以及所述处理器被配置为:

监测所述第一电流感测端子和所述第二电流感测端子,以及确定所述电流路径中的电流量;

响应于确定所述电流路径中的电流量,通过向所述功率开关栅极输出信号来控制所述电流路径中的电流量。

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