[发明专利]一种显示面板和显示装置在审
申请号: | 201710861551.0 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107706194A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 王幸 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/50;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人: | 孙威,潘中毅 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
柔性显示技术是下一代的主流显示技术。现有技术中柔性显示面板主要采用有源矩阵低温多晶硅薄膜晶体管进行驱动,在制作过程中,为保证显示面板阳极膜层的附着力,需要在显示区域外阳极膜层上制作等距离圆形或方形孔。
现有的柔性显示面板的封装结构存在的技术问题是:容易导致后续封装过程中阳极膜层刺破下方有机薄膜层,进而阳极膜层与源漏极层短接,造成驱动电路无法正常工作,整个显示面板画面显示异常。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种显示面板和显示装置,避免阳极膜层刺破下方有机薄膜层,提高阳极膜层与下方膜层的附着力,保证显示区域外电路正常驱动,画面正常显示。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种显示面板,包括:基板薄膜层;设置在基板薄膜层上的有机薄膜层;设置在有机薄膜层上的平坦层,依次形成在平坦层上的功能层,功能层至少包括阳级膜层,其中:阳级膜层和平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层,无机绝缘膜层与平坦层的图形一致。
其中,无机绝缘膜层和平坦层上的图形通过光罩和干法刻蚀技术而成。
其中,有机薄膜层包括:依次形成在基板薄膜层上的缓冲层、有源层、栅级绝缘层以及第一金属层;其中:缓冲层的厚度尺寸范围为200~300nm、有源层的厚度尺寸范围为40~50nm、栅级绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、第一金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm。
其中,有机薄膜层还包括:依次形成在第一金属层上的第二绝缘层和第二金属层;其中:第二绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、第二金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm,第二绝缘层和第二金属层通过光刻和干法刻蚀技术进行图案化。
其中,有机薄膜层还包括:依次形成在第二金属层上的层间绝缘层、源漏极金属层,其中:层间绝缘层的厚度尺寸范围为500~700nm,源漏极金属层连接在平坦层的下方,源漏极金属层使用的材料为钛和/或铝,其的厚度尺寸范围为400~600nm。
其中,功能层结构还包括:依次形成在阳极膜层上的像素定义层、发光层和阴极层。
其中,无机绝缘膜层使用的材料为氧化硅,其厚度尺寸范围为50~200nm。
其中,阳极膜层使用的材料为氧化铟和银,阳极膜层的厚度尺寸范围为100~250nm,平坦层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um。
其中,基板薄膜层的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为10~20um。
本发明还公开了一种显示装置。
实施本发明所提供的显示面板、显示装置,具有如下有益效果:
第一、阳级膜层的下方和平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层,无机绝缘膜层与平坦层的图形一致,无机绝缘膜层保持一定的耐压性,能够消除阳极膜层刺破有机薄膜层造成阳极膜层与其它功能层短接的不良。
第二、无机绝缘膜层上的图形通过平坦层图形光罩和干法刻蚀技术而成,能够实现保护柔性显示面板在封装过程中阳极膜层不会刺破下方有机薄膜层,非显示区外围电路不被损坏,保证驱动电路正常工作及整个显示面板画面正常显示。
第三,能够提高阳极膜层与下方膜层的附着力及显示装置产出良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,为本发明显示面板结构的实施例一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的