[发明专利]一种显示面板和显示装置在审
申请号: | 201710861551.0 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107706194A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 王幸 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/50;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人: | 孙威,潘中毅 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板薄膜层;
设置在所述基板薄膜层上的有机薄膜层;
设置在所述有机薄膜层上的平坦层;
形成在所述平坦层上的功能层,所述功能层至少包括阳级膜层,其中:
所述阳级膜层和所述平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层,所述无机绝缘膜层与所述平坦层的图形一致。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机绝缘膜层和所述平坦层上的图形通过光罩和干法刻蚀技术而成。
3.如权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述有机薄膜层包括:依次形成在所述基板薄膜层上的缓冲层、有源层、栅级绝缘层以及第一金属层;其中:
所述缓冲层的厚度尺寸范围为200~300nm、所述有源层的厚度尺寸范围为40~50nm、所述栅级绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、所述第一金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述有机薄膜层还包括:依次形成在所述第一金属层上的第二绝缘层和第二金属层;其中:
所述第二绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、所述第二金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm,所述第二绝缘层和所述第二金属层通过光刻和干法刻蚀技术进行图案化。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述有机薄膜层还包括:
依次形成在所述第二金属层上的层间绝缘层、源漏极金属层,其中:所述层间绝缘层的厚度尺寸范围为500~700nm,所述源漏极金属层连接在所述平坦层的下方,所述源漏极金属层使用的材料为钛和/或铝,其的厚度尺寸范围为400~600nm。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述功能层结构还包括:
依次形成在所述阳极膜层上的像素定义层、发光层和阴极层。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机绝缘膜层使用的材料为氧化硅,其厚度尺寸范围为50~200nm。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阳极膜层使用的材料为氧化铟和银,所述阳极膜层的厚度尺寸范围为100~250nm;
所述平坦层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板薄膜层的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为10~20um。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的