[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于制造电子器件的光掩模，特别是在以液晶面板、有机EL(电致发光)面板为代表的显示装置(平板显示器)的制造中有用的光掩模及其制造方法、以及使用了该光掩模的显示装置的制造方法。

背景技术

专利文献1中记载了关于多灰度光掩模的技术，该多灰度光掩模在透明基板上形成有包含遮光部、半透光部和透光部的转印用图案，能够在被转印体上形成具有陡峭的竖立形状的抗蚀剂图案。

图6是示出专利文献1中记载的多灰度光掩模的构成的侧剖视图。

该多灰度光掩模200具备包含遮光部110、半透光部115和透光部120的转印用图案。遮光部110通过在透明基板100上依次层叠半透光膜101、相移调整膜102、和遮光膜103而成。半透光部115通过在透明基板100上形成半透光膜101而成。透光部120通过透明基板100露出而成。在遮光部110与透光部120的边界形成有半透光膜101上的相移调整膜102部分露出而成的第1移相器部111，在遮光部110与半透光部115的边界形成有半透光膜101上的相移调整膜102部分露出而成的第2移相器部112。

在上述的多灰度光掩模200中，透过透光部120的曝光光和透过第1移相器部111的曝光光发生干涉，并且，透过半透光部115的曝光光和透过第2移相器部112的曝光光发生干涉。由此，边界部分的曝光光相互消除。因此，能够使在被转印体上形成的抗蚀剂图案的侧壁为陡峭的竖立形状。

图7是示出专利文献1中记载的多灰度光掩模的制造工序的侧剖视图。

(光掩模坯准备工序)

首先，准备光掩模坯20，该光掩模坯20中，在透明基板100上依次形成有半透光膜101、相移调整膜102、遮光膜103，在最上层形成有第1抗蚀剂膜104(图7(a))。

(第1抗蚀剂图案形成工序)

接着，对光掩模坯20实施绘图、显影，形成覆盖遮光部110(图6)的形成区域的第1抗蚀剂图案104p。

(第1蚀刻工序)

接着，将第1抗蚀剂图案104p作为掩模，对遮光膜103进行蚀刻，形成遮光膜图案103p(图7(b))。

(第2抗蚀剂膜形成工序)

接着，将第1抗蚀剂图案104p除去，之后在具有遮光膜图案103p和露出的相移调整膜102的光掩模坯20上的整个面形成第2抗蚀剂膜105。

(第2抗蚀剂图案形成工序)

接着，对第2抗蚀剂膜105进行绘图、显影，形成分别覆盖遮光部110的形成区域、位于遮光部110与透光部120的边界部分的第1移相器部111的形成区域、和位于遮光部110与半透光部115的边界部分的第2移相器部112的形成区域的第2抗蚀剂图案105p(图6、图7(c))。

(第2蚀刻工序)

接着，将第2抗蚀剂图案105p作为掩模，对相移调整膜102进行蚀刻而形成相移调整膜图案102p，并且形成半透光部115、第1移相器部111和第2移相器部112(图6、图7(d))。

(第3抗蚀剂膜形成工序)

接着，将第2抗蚀剂图案105p除去，之后在具有遮光膜图案103p、相移调整膜图案102p、露出的半透光膜101的光掩模坯20上的整个面形成第3抗蚀剂膜106。

(第3抗蚀剂图案形成工序)

接着，对第3抗蚀剂膜106进行绘图、显影，形成覆盖除透光部120的形成区域以外的区域的第3抗蚀剂图案106p(图7(e))。

(第3蚀刻工序)

接着，将第3抗蚀剂图案106p作为掩模，对半透光膜101进行蚀刻而形成半透光膜图案101p，并且使透明基板100部分露出而形成透光部120(图6、图7(f))。

(第3抗蚀剂图案除去工序)

接着，将第3抗蚀剂图案106p除去，完成多灰度光掩模200的制造(图7(g))。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-215614号公报

发明内容

发明所要解决的课题