[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法在审
申请号: | 201710859230.7 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107861334A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 金台勋;李锡薰 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 庞东成,褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示装置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,该显示装置制造用光掩模具备在透明基板上第1光学膜和第2光学膜分别被图案化而形成的转印用图案;所述转印用图案包含:所述透明基板的表面露出的透光部、具有与所述透光部相邻的部分的第1透过控制部、和具有与所述第1透过控制部相邻的部分的第2透过控制部;在所述第1透过控制部具有形成于所述透明基板上的所述第1光学膜,在所述第2透过控制部具有形成于所述透明基板上的所述第2光学膜,
该制造方法包括下述工序:
准备在所述透明基板上形成有所述第1光学膜和第1抗蚀剂膜的光掩模坯的工序;
对所述第1抗蚀剂膜进行第1绘图而形成第1抗蚀剂图案的第1抗蚀剂图案形成工序;
将所述第1抗蚀剂图案作为掩模,对所述第1光学膜进行蚀刻而形成第1光学膜图案的第1图案化工序;
在包含所述第1光学膜图案的所述透明基板上形成所述第2光学膜的工序;
在所述第2光学膜上形成第2抗蚀剂膜并进行第2绘图,形成第2抗蚀剂图案的第2抗蚀剂图案形成工序;和
将所述第2抗蚀剂图案作为掩模,对所述第2光学膜进行蚀刻而形成第2光学膜图案的第2图案化工序,
在所述第1图案化工序中,仅对所述第1光学膜进行蚀刻,
在所述第2图案化工序中,仅对所述第2光学膜进行蚀刻,并且,
所述第2抗蚀剂图案具有下述尺寸:覆盖所述第2透过控制部的形成区域,并且在所述第2透过控制部的边缘在相邻的所述第1透过控制部侧加上了特定宽度的裕量。
2.如权利要求1所述的显示装置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,
所述第1光学膜包含Cr,
所述第2光学膜包含Si、Mo、Ni、Ta、Zr、Al、Ti、Nb、Hf中的任一种。
3.一种显示装置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,该显示装置制造用光掩模具备在透明基板上第1光学膜和第2光学膜分别被图案化而形成的转印用图案;所述转印用图案包含:所述透明基板的表面露出的透光部、具有与所述透光部相邻的部分的第1透过控制部、和具有与所述第1透过控制部相邻的部分的第2透过控制部;在所述第1透过控制部具有形成于所述透明基板上的所述第1光学膜,在所述第2透过控制部具有形成于所述透明基板上的所述第2光学膜,
该制造方法包括下述工序:
准备在所述透明基板上形成有所述第1光学膜、蚀刻掩模、和第1抗蚀剂膜的光掩模坯的工序;
对所述第1抗蚀剂膜进行第1绘图而形成第1抗蚀剂图案的第1抗蚀剂图案形成工序;
将所述第1抗蚀剂图案作为掩模,对所述蚀刻掩模进行蚀刻而形成蚀刻掩模图案的工序;
将所述蚀刻掩模图案作为掩模对所述第1光学膜进行蚀刻而形成第1光学膜图案的第1图案化工序;
将所述蚀刻掩模图案除去的工序;
在包含所述第1光学膜图案的所述透明基板上形成所述第2光学膜的工序;
在所述第2光学膜上形成第2抗蚀剂膜并进行第2绘图,形成第2抗蚀剂图案的第2抗蚀剂图案形成工序;和
将所述第2抗蚀剂图案作为掩模,对所述第2光学膜进行蚀刻而形成第2光学膜图案的第2图案化工序,
在所述第1图案化工序中,仅对所述第1光学膜进行蚀刻,
在所述第2图案化工序中,仅对所述第2光学膜进行蚀刻,并且,
所述第2抗蚀剂图案具有下述尺寸:覆盖所述第2透过控制部的形成区域,并且在所述第2透过控制部的边缘在相邻的所述第1透过控制部侧加上了特定宽度的裕量。
4.如权利要求3所述的显示装置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,
所述第1光学膜包含Si、Mo、Ni、Ta、Zr、Al、Ti、Nb、Hf中的任一种,
所述第2光学膜包含Cr。
5.如权利要求1~4中任一项所述的显示装置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,所述第1光学膜和所述第2光学膜对于对方的蚀刻剂具有耐性。
6.如权利要求1~4中任一项所述的显示装置制造用光掩模的制造方法,其特征在于,相对于在所述显示装置制造用光掩模的曝光中所用的曝光光的代表波长光,将所述第1光学膜的透光率设为T1(%)、相移量设为(度)时,满足
2≤T1≤40
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备