[发明专利]用于沉积复合层的设备和其沉积方法

说明书

技术领域

本揭露内容涉及一种用于沉积复合层的设备和一种其沉积方法，且更确切地说，涉及一种用于沉积复合层的设备，其通过使用包含将用于在源气体喷嘴和反应气体喷嘴的前方同时形成等离子体的共同电力施加到的电极部分的喷淋头(shower head)在单个腔室中沉积复合层和一种其沉积方法。

背景技术

由于例如有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)、有机太阳能电池和有机薄层晶体管(thin film transistor；TFT)的有机电子元件易受水分和氧气侵袭，因此需要形成用于保护元件的包封层的工艺。

包封层(encapsulation layer)是通过层压用于水分渗入阻止的障壁层(barrier layer)和用于可挠性的缓冲层而形成。常规地，通过在多个腔室中交替地层压障壁层与缓冲层(通过使用多个掩模)来形成多层结构层，且因此，沉积包封层的工艺复杂，且用于沉积包封层的装备的尺寸变大。

同时，虽然尝试各种沉积方法来形成包封层，但一般来说，广泛地使用原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)和化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)。通过CVD方法，可在提供源气体和反应气体后借助于等离子体(plasma)沉积薄膜，且可按快的速率沉积具有各种组合物的材料。并且，可易于配置用于CVD的大型装备。然而，CVD方法在水分渗入阻止特性上有缺陷。同时，通过使用ALD方法，通过依序提供前驱物和反应气体，经过在衬底上的吸收和反应来沉积薄膜。并且，ALD方法在水分渗入阻止特性上优异。然而，由于沉积速度慢，因此ALD方法难以在大规模生产中应用。

因此，需要一种用于沉积复合层的方法，其在沉积速度上快且在水分渗入阻止特性上优异。

[先前文献]

[专利文献]

韩国公开专利第10-2005-0088729号

发明内容

本揭露内容提供一种用于沉积复合层的设备，其可通过包含将用于在源气体喷嘴和反应气体喷嘴的前方同时形成等离子体的共同电力施加到的电极部分的喷淋头，以进一步改善在单个腔室中沉积复合层的沉积速度，并且减少用于形成等离子体的电力供应器的数目和一种其沉积方法。

根据示范性实施例，一种用于沉积复合层的设备包含：执行沉积薄膜的工艺的腔室；衬底支撑件，其安置于所述腔室中以支撑其上沉积所述薄膜的衬底；驱动单元，其连接到所述衬底支撑件以在所述腔室中的第一轴向方向上移动所述衬底支撑件；喷淋头，其被配置以通过面向所述衬底的沉积表面的源气体喷嘴和反应气体喷嘴，喷洒源气体和反应气体中的每一种以用于在所述衬底上沉积所述薄膜，且包含用于施加共同电力的电极部分，以使所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴的前方同时形成等离子体；源气体供应单元，其被配置以将所述源气体提供到所述源气体喷嘴；第一反应气体供应单元，其被配置以将第一反应气体提供到所述反应气体喷嘴；和第二反应气体供应单元，其被配置以将第二反应气体提供到所述反应气体喷嘴。此处，所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴在与所述第一轴向方向交叉的第二轴向方向上延伸，且在所述第二轴向方向上相互平行地安置。

所述第一反应气体可包含氮(N)原子，所述第二反应气体可包含氧(O)原子，且所述第一反应气体和所述第二反应气体可按分时方式提供。

所述源气体可与所述第一反应气体反应以形成第一薄膜，且与所述第二反应气体反应以形成第二薄膜，且所述第一薄膜与所述第二薄膜可相互层压在一起。

所述源气体可包含：包含金属前驱物气体的第一源气体；和与所述第一源气体不同的第二源气体，且所述第一源气体与所述第二源气体可按时分方式(time-divided manner)提供。

所述设备可还包含惰性气体供应单元，其被配置以将惰性气体提供到所述喷淋头，且可通过所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴中的至少一个喷洒所述惰性气体。

所述喷淋头可还包含平行于所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴安置的多个抽吸喷嘴，以便提供于所述源气体喷嘴的两侧和所述反应气体喷嘴的两侧。

可按多个提供所述源气体喷嘴，所述源气体喷嘴与所述反应气体喷嘴可相互交替地安置在所述第一轴向方向上，且所述源气体喷嘴可安置在所述反应气体喷嘴的两侧中的每一个处。