[发明专利]用于沉积复合层的设备和其沉积方法

权利要求书

1.一种用于沉积复合层的设备，其特征在于，所述设备包括：

执行沉积薄膜的工艺的腔室；

衬底支撑件，其安置于所述腔室中以支撑其上沉积所述薄膜的衬底；

驱动单元，其连接到所述衬底支撑件以在所述腔室中的第一轴向方向上移动所述衬底支撑件；

喷淋头，其被配置以通过面向所述衬底的沉积表面的源气体喷嘴和反应气体喷嘴，喷洒源气体和反应气体中的每一种，以用于在所述衬底上沉积所述薄膜，且包括用于施加共同电力的电极部分，以使所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴的前方同时形成等离子体；

源气体供应单元，其被配置以将所述源气体提供到所述源气体喷嘴；

第一反应气体供应单元，其被配置以将第一反应气体提供到所述反应气体喷嘴；以及

第二反应气体供应单元，其被配置以将第二反应气体提供到所述反应气体喷嘴，

其中所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴在与所述第一轴向方向交叉的第二轴向方向上延伸，且在所述第二轴向方向上相互平行地安置。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一反应气体包括氮原子，

所述第二反应气体包括氧原子，且

所述第一反应气体和所述第二反应气体按分时方式提供。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述源气体与所述第一反应气体反应以形成第一薄膜，且与所述第二反应气体反应以形成第二薄膜，且

所述第一薄膜与所述第二薄膜相互层压在一起。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述源气体包括：

包括金属前驱物气体的第一源气体；以及

与所述第一源气体不同的第二源气体，且

所述第一源气体与所述第二源气体按时分方式提供。

5.根据权利要求1所述的设备，还包括惰性气体供应单元，其被配置以将惰性气体提供到所述喷淋头，

其中通过所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴中的至少一个喷洒所述惰性气体。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述喷淋头还包括平行于所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴安置的多个抽吸喷嘴，以便提供于所述源气体喷嘴的两侧和所述反应气体喷嘴的两侧。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述源气体喷嘴按多个提供，

所述源气体喷嘴与所述反应气体喷嘴相互交替地安置在所述第一轴向方向上，且

所述源气体喷嘴安置在所述反应气体喷嘴的两侧中的每一个处。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极部分形成为整体共同电极，且

与所述源气体喷嘴连通的所述源气体的移动流动路径和与所述反应气体喷嘴连通的所述反应气体的移动流动路径界定在所述共同电极中。

9.一种用于通过使用包括相互平行安置的源气体喷嘴和反应气体喷嘴和用于形成等离子体的电极部分的喷淋头沉积复合层的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过使用将用于在所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴的前方同时形成所述等离子体的共同电力施加到的所述电极部分，在所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴的前方形成所述等离子体；

通过在于所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴的前方形成所述等离子体的状态中，通过所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴将源气体和第一反应气体中的每一种喷洒在衬底上来沉积第一薄膜；以及

通过在于所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴的前方形成所述等离子体的状态中，通过所述源气体喷嘴和所述反应气体喷嘴将所述源气体和第二反应气体中的每一种喷洒在所述衬底上来沉积第二薄膜，

其中在移动所述衬底的同时执行所述第一薄膜的所述沉积和所述第二薄膜的所述沉积。

10.根据权利要求9所述的设备，进一步包括排出在所述第一薄膜的所述沉积与所述第二薄膜的所述沉积之间未反应的残气。

11.根据权利要求10所述的设备，其中将所述第一薄膜的所述沉积、所述第二薄膜的所述沉积和所述残气的所述排出重复预定次数。

12.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一反应气体包括氮原子，且

所述第二反应气体包括氧气原子。