[发明专利]单相桥式整流电路和三相桥式整流电路

权利要求书

1.一种单相桥式整流电路，其特征在于，包括直插式的元器件，所述元器件包括：

引线框架，材质为导体，包括第一引脚、第二引脚、第三引脚及用于设置芯片的芯片岛，所述芯片岛包括第一岛和与第一岛隔离的第二岛；

第一芯片，为二极管芯片，芯片的正面与背面的极性相反，设于所述第一岛上；

第二芯片，为二极管芯片，芯片的正面与背面的极性相反，设于所述第二岛上，所述第一芯片和第二芯片通过相同的面与所述芯片岛接触，所述第一引脚电性连接至所述第一岛，所述第二引脚电性连接至所述第二岛，所述第一芯片背离所述第一岛的一面和第二岛连接，所述第二芯片背离所述第二岛的一面电性连接至所述第三引脚；

绝缘保护外层，覆盖所述第一芯片和第二芯片，所述引线框架除所述第一、第二、第三引脚外的部分结构不被绝缘保护外层包覆从而进行散热；

所述单相桥式整流电路包括的所述元器件的数量为两个，两个元器件的第一引脚相互电性连接，作为所述单相桥式整流电路的第一直流输出端；所述两个元器件的第三引脚相互电性连接，作为所述单相桥式整流电路的第二直流输出端；所述两个元器件的第二引脚分别作为所述单相桥式整流电路的交流输入端。

2.根据权利要求1所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述引线框架包括不被所述绝缘保护外层覆盖的外露散热部。

3.根据权利要求1所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均是通过阴极与所述芯片岛接触，所述第二芯片是阳极通过引线电性连接至所述第三引脚，所述第一芯片是阳极通过引线电性连接至所述第二岛。

4.根据权利要求1所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一块晶圆上的相邻两个芯片。

5.根据权利要求1所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述第一岛和第二岛的正投影面积接近一致，以使得所述第一岛对第一芯片的散热性能与第二岛对第二芯片的散热性能趋于一致。

6.一种三相桥式整流电路，其特征在于，包括直插式的元器件，所述元器件包括：

引线框架，材质为导体，包括第一引脚、第二引脚、第三引脚及用于设置芯片的芯片岛，所述芯片岛包括第一岛和与第一岛隔离的第二岛；

第一芯片，为二极管芯片，芯片的正面与背面的极性相反，设于所述第一岛上；

第二芯片，为二极管芯片，芯片的正面与背面的极性相反，设于所述第二岛上，所述第一芯片和第二芯片通过相同的面与所述芯片岛接触，所述第一引脚电性连接至所述第一岛，所述第二引脚电性连接至所述第二岛，所述第一芯片背离所述第一岛的一面和第二岛连接，所述第二芯片背离所述第二岛的一面连接至所述第三引脚；

绝缘保护外层，覆盖所述第一芯片和第二芯片，所述引线框架除所述第一、第二、第三引脚外的部分结构不被绝缘保护外层包覆从而进行散热；

所述三相桥式整流电路包括的所述元器件的数量为三个，三个元器件的第一引脚相互电性连接，作为所述三相桥式整流电路的第一直流输出端；所述三个元器件的第三引脚相互电性连接，作为所述三相桥式整流电路的第二直流输出端；所述三个元器件的第二引脚分别作为所述三相桥式整流电路的交流输入端。

7.根据权利要求6所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述引线框架包括不被所述绝缘保护外层覆盖的外露散热部。

8.根据权利要求6所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片均是通过阴极与所述芯片岛接触，所述第二芯片是阳极通过引线电性连接至所述第三引脚，所述第一芯片是阳极通过引线电性连接至所述第二岛。

9.根据权利要求6所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述元器件的第一芯片和第二芯片是取自一块晶圆上的相邻两个芯片。

10.根据权利要求6所述的单相桥式整流电路，其特征在于，所述第一岛和第二岛的正投影面积接近一致，以使得所述第一岛对第一芯片的散热性能与第二岛对第二芯片的散热性能趋于一致。