[发明专利]背散射模型生成方法、去除背散射伪影的方法及成像系统有效
| 申请号: | 201710855369.4 | 申请日: | 2017-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN107822650B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
| 发明(设计)人: | 黄细平 | 申请(专利权)人: | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 |
| 主分类号: | A61B6/00 | 分类号: | A61B6/00 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 215434 江苏省苏州市太*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 散射 模型 生成 方法 去除 成像 系统 | ||
1.一种背散射模型生成方法,其特征在于,所述生成方法包括:
步骤S1:预设拍摄参数,并在不同X射线产生电压下,采用第一平板探测器分别对待成像物体进行拍摄成像并处理,得到第一校正图像组,其中,所述第一校正图像组包括与不同X射线产生电压对应的多个带有背散射伪影的第一校正图像;
步骤S2:预设同步骤S1相同的拍摄参数,并在同步骤S1相同的X射线产生电压下,采用第二平板探测器分别对待成像物体进行拍摄成像并处理,得到第二校正图像组,其中,所述第二校正图像组包括与不同X射线产生电压对应的多个未带背散射伪影的第二校正图像;
步骤S3:根据公式得到每一X射线产生电压所对应的背散射分布,从而得到由多个背散射分布组成的背散射模型;其中,Psn为一X射线产生电压所对应的背散射分布,P1n为第一校正图像组中,与该X射线产生电压对应的带有背散射伪影的第一校正图像,P2n为第二校正图像组中,与该X射线产生电压对应的未带背散射伪影的第二校正图像。
2.根据权利要求1所述的背散射模型生成方法,其特征在于,得到所述第一校正图像组的方法包括:
步骤S11:在没有X射线辐射时,第一平板探测器进行图像采集,得到第一暗场图像;
步骤S12:在不同X射线产生电压下,采用第一平板探测器分别对待成像物体进行拍摄成像,得到第一原始图像组,其中,所述第一原始图像组包括与不同X射线产生电压对应的多个带有背散射伪影的第一原始图像;
步骤S13:根据公式P1n=P1yn-offset_map1,得到每一X射线产生电压所对应的带有背散射伪影的第一校正图像,从而得到由多个第一校正图像组成的第一校正图像组,其中,P1n为一X射线产生电压所对应的第一校正图像,P1yn为第一原始图像组中,与该X射线产生电压所对应的第一原始图像,offset_map1为第一暗场图像。
3.根据权利要求1所述的背散射模型生成方法,其特征在于,得到所述第二校正图像组的方法包括:
步骤S21:在没有X射线辐射时,第二平板探测器进行图像采集,得到第二暗场图像;
步骤S22:在同步骤S1相同的X射线产生电压下,采用第二平板探测器分别对待成像物体进行拍摄成像,得到第二原始图像组,其中,所述第二原始图像组包括与不同X射线产生电压对应的多个未带背散射伪影的第二原始图像;
步骤S23:根据公式P2n=P2yn-offset_map2,得到每一X射线产生电压所对应的未带背散射伪影的第二校正图像,从而得到由多个第二校正图像组成的第二校正图像组,其中,P2n为一X射线产生电压所对应的第二校正图像,P2yn为第二原始图像组中,与该X射线产生电压所对应的第二原始图像,offset_map2为第二暗场图像。
4.根据权利要求1、2或3所述的背散射模型生成方法,其特征在于,不同X射线产生电压的电压范围为40kV~150kV,且相邻两个X射线产生电压的间隔为1kV。
5.根据权利要求4所述的背散射模型生成方法,其特征在于,不同X射线产生电压的电压范围为60kV~150kV,且相邻两个X射线产生电压的间隔为10kV。
6.根据权利要求1或3所述的背散射模型生成方法,其特征在于,所述第二平板探测器的TFT感光面板与PCBA之间设有一防背散射层,其中,所述防背散射层的材料为铅橡胶。
7.根据权利要求6所述的背散射模型生成方法,其特征在于,在所述第一平板探测器的TFT感光面板与PCBA之间增设一防背散射层,以形成所述第二平板探测器;其中,所述防背散射层的材料为铅橡胶。
8.一种成像系统,其特征在于,所述成像系统包括:
第一平板探测器;
与所述第一平板探测器连接的上位机;
其中,所述第一平板探测器或所述上位机内预存有采用如权利要求1~6任一项所述生成方法生成的背散射模型。
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