[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可解决提高薄膜晶体管的充电率，而导致的显示面板透光率降低的问题。该薄膜晶体管包括第一极、第二极、有源层、栅极以及栅绝缘层；所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂，所述第二极包括条形臂；所述条形臂沿第一方向排列，所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向；其中，所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域，且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域，所述有源层在所述第一极或所述第二极上的正投影位于所述第一区域的部分至少部分镂空。用于提高薄膜晶体管的充电率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，在液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)和有机电致发光二极管显示装置(Organic Light Eimtting Diode，简称OLED)中均设置有薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)，用于对像素的显示进行控制，因此显示装置的性能与薄膜晶体管的性能密切相关。

为了保证显示装置的高分辨率和显示图像的变化流畅，薄膜晶体管的开态充电时间较短，短时间内像素电容的充电不足是影响显示器显示品质的一大难题。尤其是对GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)产品，因充电时间短，加之GOA驱动能力限制，充电不足是一大难题。现有技术中常通过增大薄膜晶体管的宽长比W/L值，如增大沟道宽度W来增大开态电流Ion以提高充电率。示例的，参考图1，U型结构的薄膜晶体管的第一极10包括两个条形臂100，以及将两个条形臂100的端部相连接的连接臂200，位于第二极20和第一极10之间的有源层30形成沟道40，沟道40为U型结构，目前常通过增加条形臂100自由端的长度，即增大沟道宽度W使W/L增加。

然而，增加沟道宽度W会导致像素的像素开口率降低，从而影响显示面板的透过率，进而增加背光功耗。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，可解决提高薄膜晶体管的充电率，而导致的显示面板透光率降低的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：第一极、第二极、有源层、栅极以及栅绝缘层；所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂，所述第二极包括条形臂；所述条形臂沿第一方向排列，所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向；其中，所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域，且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域，所述有源层在所述第一极或所述第二极上的正投影位于所述第一区域的部分至少部分镂空。

优选的，所述第一极包括两个所述条形臂和一个所述连接臂，所述连接臂与两个所述条形臂的端部相连接组成U型结构；所述第二极包括一个所述条形臂，且所述条形臂位于所述U型结构的开口内。

优选的，所述第一极包括一个所述连接臂和一个所述条形臂，所述连接臂和所述条形臂相连组成L型结构；所述第二极包括一个所述条形臂，所述条形臂位于所述L型结构的开口内。

进一步优选的，所述第二极条形臂的个数少于所述第一极条形臂的个数；所述第二极为信号输入电极。

第二方面，提供一种阵列基板，包括多个上述的薄膜晶体管。

优选的，所述薄膜晶体管的第一极通过过孔与像素电极电连接，第二极与数据线电连接；或者，所述薄膜晶体管的所述第二极通过过孔与所述像素电极电连接，所述第一极与数据线电连接。