[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710854302.9 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107579079B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 王小元;杨妮;王武;方琰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:第一极、第二极、有源层、栅极以及栅绝缘层;
所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂,所述第二极包括条形臂;所述条形臂沿第一方向排列,所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向;
其中,所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域,所述第一极的两个所述条形臂与所述连接臂靠近的部分在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠,且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域,所述有源层在所述第一区域的部分至少部分镂空。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一极包括两个所述条形臂和一个所述连接臂,所述连接臂与两个所述条形臂的端部相连接组成U型结构;
所述第二极包括一个所述条形臂,且所述条形臂位于所述U型结构的开口内。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一极包括一个所述连接臂和一个所述条形臂,所述连接臂和所述条形臂相连组成L型结构;
所述第二极包括一个所述条形臂,所述条形臂位于所述L型结构的开口内。
4.根据权利要求1-2任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第二极条形臂的个数少于所述第一极条形臂的个数;
所述第二极为信号输入电极。
5.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:第一极、第二极、有源层、栅极以及栅绝缘层;
所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂,所述第二极包括条形臂;所述条形臂沿第一方向排列,所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向;
其中,所述第二极条形臂的个数少于所述第一极条形臂的个数或者所述第二极不包括所述连接臂,所述第二极为信号输入电极;
所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域,所述第一极的两个所述条形臂与所述连接臂靠近的部分在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠,且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域,所述有源层在所述第一区域的部分至少部分镂空。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一极包括两个所述条形臂和一个所述连接臂,所述连接臂与两个所述条形臂的端部相连接组成U型结构;
所述第二极包括一个所述条形臂,所述条形臂位于所述U型结构的开口内。
7.一种阵列基板,其特征在于,包括多个如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的第一极通过过孔与像素电极电连接,第二极与数据线电连接;
或者,所述薄膜晶体管的所述第二极通过过孔与所述像素电极电连接,所述第一极与数据线电连接。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括多个如权利要求5-6任一项所述的薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的第一极通过过孔与像素电极电连接,第二极与数据线电连接。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-10任一项所述的阵列基板。
12.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项的薄膜晶体管:
在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层、第一极以及第二极;所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂,所述第二极包括条形臂;所述条形臂沿第一方向依次排列,所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向;其中,所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域,所述第一极的两个所述条形臂与所述连接臂靠近的部分在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠,且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域,所述有源层中与所述第一区域正对的部分至少部分镂空。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的