[发明专利]封装薄膜、电子装置及电子装置的制备方法

权利要求书

1.一种封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜包括：

第一膜层，所述第一膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为9-13:2；

第二膜层，所述第二膜层与所述第一膜层叠层结合，

所述第二膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为1:1-5。

2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜还包括：

第三膜层，所述第一膜层叠层结合于所述第三膜层，所述第二膜层叠层结合于所述第一膜层；

所述第三膜层的材料包括：SiC、AlN和BeO中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜还包括：

第四膜层，所述第三膜层叠层结合于所述第四膜层，所述第一膜层叠层结合于所述第三膜层，所述第二膜层叠层结合于所述第一膜层；

所述第四膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为1:1-5。

4.一种电子装置，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的电子元件；和

封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件，其中，所述封装薄膜包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为9-13:2；所述第一膜层设置在所述电子元件表面或所述电子元件和所述衬底表面，所述第二膜层叠层设置在所述第一膜层表面，所述第二膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为1:1-5。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述封装薄膜还包括第三膜层，所述第三膜层设置在所述电子元件表面或所述电子元件和所述衬底表面，所述第一膜层叠层设置在所述第三膜层表面，所述第二膜层叠层设置在所述第一膜层表面，所述第三膜层的材料包括SiC、AlN和BeO中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述封装薄膜还包括第四膜层，所述第四膜层设置在所述电子元件表面或所述电子元件和所述衬底表面，所述第三膜层叠层设置在所述第四膜层表面，所述第一膜层叠层设置在所述第三膜层表面，所述第二膜层叠层设置在所述第一膜层表面，所述第四膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为1:1-5。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，

所述第一膜层的厚度为10 -30 nm；

和/或所述第二膜层的厚度为10 -50 nm；

和/或所述第三膜层的厚度为100-700 nm；

和/或所述第四膜层的厚度为10 -30 nm。

8.一种电子装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；

在所述基材上形成封装薄膜，对所述电子元件进行封装；其中，所述封装薄膜包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为9-13:2；所述第一膜层设置在所述基材表面，所述第二膜层叠层设置在所述第一膜层表面，所述第二膜层的材料中硼元素与碳元素的摩尔比为1:1-5。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述基材上形成所述第一膜层的步骤包括：

以气态B源、气态C源和 H₂为反应气体，采用化学气相浸渗反应法，在所述基材上叠层形成所述第一膜层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相浸渗反应法，在所述基材上叠层形成所述第一膜层的工艺条件为：沉积功率为30-50 KW，沉积温度为700-1000℃，气态B源流量为0.5-10 ml/min，气态C源流量为0.1-10 ml/min，H₂流量为80-100 ml/min，稀释气体流量为150-200 ml/min，沉积速率为300-400 nm/h。