[发明专利]抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201710852189.0 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109518143A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 牛云松;朱圣龙;沈明礼;王福会;陈明辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所;东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微量氮 钽涂层 填隙 磁控溅射 高速气流 抗高温 分压 烧蚀 制备 过渡金属氮化物 氮气 阴极 磁控溅射设备 体心立方结构 纯金属涂层 抗烧蚀涂层 阳极 工作气体 晶体结构 纯氩气 高韧性 高硬度 抗烧蚀 通用的 靶材 纯钽 耐磨 加热 | ||
1.一种抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层，其特征在于，采用负辉区磁控溅射获得体心立方结构的钽涂层，所述钽涂层为微量氮填隙的钽涂层，涂层结构为体心立方结构的β相，微量氮填隙钽涂层的化学成分为：N原子百分比在4％～10％范围内，其余为Ta。
2.按照权利要求1所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层，其特征在于，所述钽涂层的晶体结构为100％的体心立方结构β-Ta(N)相。
3.按照权利要求1所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层，其特征在于，所述钽涂层的厚度为0.5～80μm。
4.一种权利要求1至3之一所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层的制备方法，其特征在于，采用通用的磁控溅射设备，靶材为纯钽，在磁控溅射过程中，基片零件放置在阳极和阴极之间的负辉区中，并通入氮气作为反应气体。
5.按照权利要求4所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层的制备方法，其特征在于，在负辉区磁控溅射过程中，基片零件无需加热。
6.按照权利要求4所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层的制备方法，其特征在于，在负辉区磁控溅射过程中，使用的工作气体为纯氩气和氮气，零件无需加热，氩分压范围为1.2×10-1～2.5×10-1Pa之间，氮分压范围为3×10-2～8×10-2Pa之间，涂层厚度范围为0.5～80μm之间。
7.按照权利要求6所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层的制备方法，其特征在于，在负辉区磁控溅射过程中，溅射功率密度为3W/cm2～15W/cm2之间。
8.按照权利要求6所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层的制备方法，其特征在于，在负辉区磁控溅射过程中，使用的电源为直流电源或脉冲电源。
9.按照权利要求6所述的抗高温高速气流烧蚀的微量氮填隙钽涂层的制备方法，其特征在于，在负辉区磁控溅射过程中，工作室真空抽至3×10-3～6×10-3Pa。
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