[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710846528.4 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN107527927B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 石龙强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龙 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着科技的发展,显示器的尺寸越来越大,而大尺寸的显示器中数据线及扫描线有着很大的电阻电容负载,过大的电阻电容负载会造成输出波形的延迟,导致显示的异常。
发明内容
本发明主要提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,旨在解决数据线或扫描线的电阻过大而导致显示异常的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板、金属图案层、数据线图案层及扫描线图案层;其中,所述金属图案层设置于所述衬底基板上,所述数据线图案层或所述扫描线图案层与所述金属图案层不同层设置,且所述数据线图案层或所述扫描线图案层与所述金属图案层电连接。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置,所述显示装置包括上述的阵列基板。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种阵列基板的制备方法,所述方法包括:在衬底基板上沉积金属以形成间隔设置的金属图案层与遮光层;形成覆盖所述金属图案层的缓冲层并开设贯穿所述缓冲层且连通所述金属图案层的第一过孔;在所述缓冲层依次形成层叠设置的有源层及第一绝缘层;通过同一道光刻工艺分别在所述第一绝缘层与所述缓冲层上形成栅极图案层和扫描线图案层,所述扫描线图案层通过所述第一过孔与所述金属图案层电连接;在所述缓冲层上形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成源极图案层、漏极图案层和数据线图案层。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过在基板上设置金属图案层,数据线图案层与金属图案层异层设置且与金属图案层电连接或扫描线图案层与金属图案层异层设置且与金属图案层电连接的方法,使得数据线图案层或扫描线图案层与金属图案层形成一个并联结构,由于该并联结构的电阻小于数据线图案层或扫描线图案层电阻,使得该并联结构作为数据线或扫描线使用时的电阻变小,提高显示效果。
附图说明
图1是本发明提供的阵列基板第一实施例的结构示意图;
图2是本发明提供的阵列基板第二实施例的结构示意图;
图3是本发明提供的阵列基板第三实施例的结构示意图;
图4是本发明提供的阵列基板第四实施例的结构示意图;
图5是本发明提供的阵列基板第五实施例的结构示意图
图6是本发明提供的显示装置实施例的结构示意图;
图7是本发明提供的阵列基板的制备方法实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示装置做进一步详细描述。
参阅图1,本发明提供的阵列基板第一实施例包括衬底基板101、金属图案层102、扫描线图案层103及数据线图案层104。
其中,金属图案层102设置于衬底基板101上,进一步的,衬底基板101上还设有遮光层105,遮光层105与金属图案层102同层间隔设置且通过同一道光刻工艺形成。
具体的,可通过物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在衬底基板101上沉积金属材料层,然后通过曝光、显影、蚀刻及剥离的光刻工艺在衬底基板101上同时形成金属图案层102以及遮光层105。
可选的,金属材料层的金属材料为包括但不限于铝或钼的金属材料。
进一步的,扫描线图案层103与金属图案层102电连接。
具体的,衬底基板101上还设有覆盖金属图案层102的缓冲层106,缓冲层106设有贯穿缓冲层106且连通金属图案层102的第一过孔1061,具体的,可使用物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在衬底基板101上沉积覆盖金属图案层102的氧化硅层以形成缓冲层106,在形成缓冲层106之后,通过曝光、显影、蚀刻及剥离的光刻工艺在缓冲层106蚀刻出连通金属图案层102的第一过孔1061,扫描线图案层103设置于缓冲层102上以通过第一过孔1061与金属图案层102电连接。
进一步的,缓冲层106上设有依次层叠设置的有源层107、第一绝缘层108及栅极图案层109,其中,扫描线图案层103与栅极图案层109通过同一道光刻工艺形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的