[发明专利]曲面玻璃的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710839757.3 申请日: 2017-09-18
公开(公告)号: CN109518129B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 刘伟 申请(专利权)人: 安徽精卓光显技术有限责任公司
主分类号: C23C14/10 分类号: C23C14/10;C23C14/35;C03C17/245;C03B23/203;B24B29/02
代理公司: 广州德科知识产权代理有限公司 44381 代理人: 万振雄
地址: 231323 安徽省六*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 曲面 玻璃 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种曲面玻璃的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

提供平板玻璃和侧边玻璃,在所述平板玻璃和侧边玻璃的待键合侧面各镀制一SiO2层,使所述平板玻璃和侧边玻璃的待键合面平坦化;

将所述平坦化的平板玻璃和侧边玻璃在400-800℃的温度下进行真空热键合,然后采用CNC刀具对键合后的玻璃结合体进行切削,以得到所需外形的曲面玻璃。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述平板玻璃上SiO2层的厚度为20-2000nm。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述侧边玻璃上SiO2层的厚度为20-2000nm。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述SiO2层是采用磁控溅射技术来镀制,选用Si靶作靶材,具体镀制过程如下:

(1)在镀膜之前,将磁控溅射设备的镀膜腔内的真空度抽至1.0×10-5~3.0×10-5mbar;

(2)向所述镀膜腔内通入工作气体,控制所述镀膜腔的气压为1.6×10-5~3.6×10-3mbar;其中,所述工作气体为氩气和氧气的混合气体;

(3)开启Si靶,调整Si靶的靶功率为5~25kW,沉积生长SiO2,形成所述SiO2层。

5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述平板玻璃的厚度为0.1~2mm,所述侧边玻璃的厚度为0.1~2mm。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述平板玻璃的厚度小于所述侧边玻璃的厚度。

7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述真空热键合的具体过程如下:

(1)将平板玻璃和侧边玻璃置于一真空腔室内,采用上下压块分别压住平板玻璃和侧边玻璃,并控制所述上下压块施加到所述平板玻璃和侧边玻璃上的压强为0.1-10MPa;

(2)将所述真空腔室内的真空度抽至1.0×10-4~9×10-3Pa,然后将所述真空室内的温度升温至400-800℃进行键合。

8.如权利要求1-7任一项所述的制备方法,其特征在于,在镀制所述SiO2层之前,还包括:对所述平板玻璃和侧边玻璃的待键合侧面进行抛光,并清洁;

其中,在所述切削之后,还包括对曲面玻璃进行表面抛光处理。

9.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述曲面玻璃的曲面半径为2-50mm。

10.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述曲面玻璃的曲面所对应的圆心角为30-150°。

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