[发明专利]具有虚置标准单元的集成电路

说明书

本发明公开一种具有虚置标准单元的集成电路，包含：第一金属线以及第二金属线沿着一第一方向延伸；第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸；鳍状结构平行于该第一方向；栅极结构位于鳍状结构上且平行于第二方向；多组的短接触插栓与长接触插栓设置于两栅极结构，或是栅极结构与虚置栅极之间；掺质区与长接触插栓重叠；栅极接触插栓设置在栅极结构上；通孔插栓设置在长接触插栓上并与之电连接；金属层设置在通孔插栓上并与之电连接，包含第一金属线以及第二金属线。

技术领域

本发明涉及一种具有标准单元的集成电路，特别是涉及一种具有虚置标准单元的集成电路。

背景技术

标准单元是一组或多组的晶体管相互结构，用来提供布林逻辑功能(例如AND、OR、X0R、XNOR)或存储功能(触发器或锁存器)。随着先进制作工艺技术(例如鳍状晶体管FinFet技术)，标准单元布局的设计也有所不同。

标准单元库是支持数字集成电路设计自动化流程的基础数据之一，标准单元库从前端功能模拟到后端版图实现架构出整个集成电路自动化设计流程。标准单元库包括若干个预先设计好的标准单元，包括了器件的版图图形以及面积、电路功耗、时序和驱动能力等电路性能值，标准单元具有通用的界面实现和规则结构，集成电路设计者或者综合工具根据设计要求，调用标准单元库中需要的标准单元来完成集成电路的版图布图设计。基于标准单元库的集成电路设计可以极大提高电路的设计效率。

发明内容

本发明于是提供了一种具有虚置标准单元的集成电路，可建构在标准单元库中以供设计之用。

根据本发明的一实施例，是提供了一种具有虚置标准单元(standard fillercell)的集成电路，包含有一第一金属线以及一第二金属线、一第一虚置栅极以及一第二虚置栅极、多个鳍状结构、多个栅极结构、多组短接触插栓以及长接触插栓、一掺质区、一栅极接触插栓、多个通孔插栓以及一金属层。第一金属线、第二金属线、第一虚置栅极以及第二虚置栅极包围的区域定义为一虚置单元区。金属线以及第二金属线沿着一第一方向延伸。第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸。鳍状结构设置在虚置单元区中并行于该第一方向。栅极结构设置在虚置单元区中，位于等鳍状结构上且平行于第二方向。短接触插栓以及长接触插栓设置在该虚置单元区中，各组的短接触插栓与长接触插栓设置于两栅极结构，或是栅极结构与虚置栅极之间。掺质区设置在虚置单元区中，且与长接触插栓重叠。栅极接触插栓设置在栅极结构上。通孔插栓设置在长接触插栓上并与之电连接。金属层设置在通孔插栓上并与之电连接，金属层包含第一金属线以及第二金属线。

根据本发明另一实施例，本发明还提供了一种具有边缘虚置标准单元(edgestandard filler cell)的集成电路，包含一金属线、一第一虚置栅极以及一第二虚置栅极、一栅极结构、多个接触插栓以及多个通孔插栓。金属线、第一虚置栅极以及第二虚置栅极包围的区域定义出一边缘虚置单元区。金属线沿着一第一方向延伸。第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸。鳍状结构设置在边缘虚置单元区中，鳍状结构平行于第一方向。栅极结构设置在边缘虚置单元区中，位于鳍状结构上且平行于第二方向。接触插栓设置在边缘虚置单元区中，且设置在第一虚置栅极、栅极结构与第二虚置栅极之间。通孔插栓设置在边缘虚置单元区中，与接触插栓电连接，其中边缘虚置单元区中的元件沿着一中心轴镜相对称。

本发明提供了一种虚置标准单元与一边缘虚置标准单元的实施方式，可以用在填补逻辑区中的空间，且可视整个逻辑区的元件配置状况，进行密度上的补偿，以增加整个逻辑区的均匀度。

附图说明

图1至图3为本发明一种虚置标准单元的集成电路的布局示意图；

图4为本发明一种边缘虚置标准单元的集成电路的布局示意图；

图5为本实施例中边缘虚置标准单元的位置示意图。

主要元件符号说明