[发明专利]具有虚置标准单元的集成电路

权利要求书

1.一种具有虚置标准单元(standard filler cell)的集成电路，包含：

第一金属线以及第二金属线，两者沿着一第一方向延伸；

第一虚置栅极以及第二虚置栅极，沿着一第二方向延伸，其中该第一金属线、该第二金属线、该第一虚置栅极以及该第二虚置栅极包围的区域定义为一虚置单元区；

多个鳍状结构，设置在该虚置单元区中，该多个鳍状结构平行于该第一方向；

多个栅极结构，设置在该虚置单元区中，位于该第一虚置栅极与该第二虚置栅极之间且平行于该第二方向；

多个短接触插栓以及多个长接触插栓，设置在该虚置单元区中，该多个短接触插栓与该多个长接触插栓设置于该多个栅极结构，或是该多个栅极结构与该第一虚置栅极，或该多个栅极结构与该第二虚置栅极之间；

掺质区，设置在该虚置单元区中，且与该多个长接触插栓部分重叠；

栅极接触插栓，设置在该多个栅极结构上；

多个通孔插栓，设置在该多个长接触插栓上并与之电连接；以及

金属层，设置在该多个通孔插栓上并与之电连接，该第一金属层包含该第一金属线以及该第二金属线。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中该虚置单元区中具有与该第二方向平行的一中心轴，该虚置单元区中的元件沿着该中心轴呈现镜相对称。

3.如权利要求1所述的集成电路，还包含第二虚置单元区，设置于该虚置单元区旁并与该虚置单元区直接接触。

4.如权利要求3所述的集成电路，其中该第二虚置单元区中的元件与该第一虚置单元区中的元件为旋转对称。

5.如权利要求4所述的集成电路，其中该第二虚置区中的元件与该第一虚置单元中的元件是180度的旋转对称。

6.如权利要求1所述的集成电路，还包含第三虚置单元区，其中该第三虚置单元区的元件与该虚置单元区的元件配置完全相同，且该第一虚置单元与该第三虚置单元没有直接接触。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中该多个长接触插栓还进一步延伸至该虚置单元区外。

8.如权利要求1所述的集成电路，其中部分的该多个栅极结构包含两个不相连的调整栅极结构。

9.如权利要求1所述的集成电路，还包含调整掺质区，设置在该虚置单元区中，且在该第一方向上的投影与该掺质区部分重叠。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中该重叠的比例为1/2。

11.如权利要求1所述的集成电路，还包含调整栅极接触插栓，设置在该虚置单元区中，且在该第一方向上的投影与该栅极接触插栓部分重叠。

12.如权利要求11所述的集成电路，其中该重叠的比例为1/2。

13.如权利要求1所述的集成电路，还包含至少一调整通孔插栓设置在该虚置单元区中，且在该第一方向上的投影与部分的该多个通孔插栓重叠。

14.如权利要求1所述的集成电路，其中该多个短接触插栓与该多个长接触插栓的数量相同，使该多个栅极结构中相邻的两个之间，或是该第一虚置栅极与其相邻的栅极结构之间，或是该第二虚置栅极与其相邻的栅极结构之间具有一个该短接触插栓与一个该长接触插栓。

15.如权利要求1所述的集成电路，其中该多个短接触插栓的数量少于该多个长接触插栓的数量相同，使该多个栅极结构中相邻的两个之间，或是该第一虚置栅极与其相邻的栅极结构之间，或是该第二虚置栅极与其相邻的栅极结构之间具有一个该短接触插栓与一个该长接触插栓，或是具有两个该长接触插栓。