[发明专利]具有标准单元的集成电路

说明书

本发明公开一种具有标准单元的集成电路。此集成电路包含：第一金属线以及一第二金属线沿着一第一方向延伸；第一虚置栅极以及第二虚置栅极，沿着一第二方向延伸；鳍状结构平行于该第一方向；栅极结构位于鳍状结构上且平行于第二方向；两个长接触插栓位于栅极结构的一侧，两个短接触插栓位于栅极结构的另一侧；栅极插栓设置在栅极结构上；通孔插栓设置在长接触插栓、短接触插栓及栅极接触插栓上并与之电连接；金属层包含第一金属线、第二金属线、一第三金属线以及一第四金属线。

技术领域

本发明涉及一种具有标准单元的集成电路，特别来说，是涉及一种具有反相器的标准单元与具有反极栅的标准单元的集成电路。

背景技术

标准单元是一组或多组的晶体管相互结构，用来提供布林逻辑功能(例如AND、OR、XOR、XNOR)或存储功能(触发器或锁存器)。随着先进制作工艺技术(例如鳍状晶体管FinFet技术)，标准单元布局的设计也有所不同。

标准单元库是支持数字集成电路设计自动化流程的基础资料之一，标准单元库从前端功能模拟到后端版图实现架构出整个集成电路自动化设计流程。标准单元库包括若干个预先设计好的标准单元，包括了器件的版图图形以及面积、电路功耗、时序和驱动能力等电路性能值，标准单元具有通用的界面实现和规则结构，集成电路设计者或者综合工具根据设计要求，调用标准单元库中需要的标准单元来完成集成电路的版图布图设计。基于标准单元库的集成电路设计可以极大提高电路的设计效率。

发明内容

本发明于是提出了一种具有标准单元的集成电路，以提供设计集成电路设计时使用。

根据本发明的一实施例，是提供了一种具有反向器(Inverter)标准单元的集成电路。此集成电路包含一第一金属线、一第二金属线、一组第一虚置栅极以及一组第二虚置栅极、多个鳍状结构、一栅极结构、多个短接触插栓与长接触插栓、一栅极结构、多个通孔插栓以及一金属层。第一金属线、第二金属线、第一虚置栅极以及第二虚置栅极包围的区域定义为一标准单元区，该标准单元区具有一N型区以及一P型区。第一金属线以及一第二金属线沿着一第一方向延伸。第一虚置栅极以及第二虚置栅极，沿着一第二方向延伸。鳍状结构设置在标准单元区中，且平行于该第一方向。栅极结构设置在标准单元中，位于鳍状结构上且平行于第二方向。两个短接触插栓以及两个长接触插栓设置在标准单元区中，两个长接触插栓位于栅极结构的一侧，两个短接触插栓位于栅极结构的另一侧。栅极接触插栓设置在栅极结构上。通孔插栓设置在长接触插栓、短接触插栓及栅极接触插栓上并与之电连接。金属层设置在通孔插栓上并与之电连接，金属层包含第一金属线、第二金属线、一第三金属线以及一第四金属线。

根据本发明的另一实施例，是提供了一种具有反极栅(NAND)标准单元的集成电路。此集成电路包含一第一金属线、一第二金属线、一组第一虚置栅极以及一组第二虚置栅极、多个鳍状结构、多个短接触插栓与长接触插栓、两栅极结构、多个通孔插栓以及一金属层。第一金属线以及第二金属线沿着一第一方向平行。第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着第二方向延伸。鳍状结构设置在标准单元区中，鳍状结构平行于第一方向。栅极结构设置在标准单元中，位于鳍状结构上且平行于第二方向。三个短接触插栓以及三个长接触差栓设置在标准单元区中，其中两个长接触插栓位于一个栅极结构与第一虚置栅极结构之间，两个短接触插栓位于两个栅极结构之间，一个长接触插栓与一个短接触插栓位于另一个栅极结构与第二虚置栅极之间。栅极接触插栓分别设置在两个栅极结构上。通孔插栓设置在长接触插栓、短接触插栓以及栅极接触插栓上并与之电连接。金属层设置在通孔插栓上，金属层包含第一金属线、第二金属线、一第三金属线、一第四金属线以及一第五金属线。

本发明提供了一种具有标准单元的集成电路布局，在一个实施例中，标准单元为反向器，在另一实施例中，标准单元为反极栅。通过上述标准单元的配置，可以轻易地组合形成各种可逻辑运算的电子电路，用于加快元件运算速度。

附图说明

图1至图3为本发明一种反相器标准单元的集成电路的布局示意图；