[发明专利]具有标准单元的集成电路有效
申请号: | 201710830604.2 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109509747B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 许振贤;陈建孚;蔡承洋;王伟任;林肇尉;黃智宏;顾政宗;杨进盛 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 标准 单元 集成电路 | ||
1.一种具有标准单元(standard cell)的集成电路,包含:
第一金属线以及第二金属线,两者沿着一第一方向延伸;
一组第一虚置栅极以及一组第二虚置栅极,沿着一第二方向延伸,其中该第一金属线、该第二金属线、该组第一虚置栅极以及该组第二虚置栅极包围的区域定义为一标准单元区,该标准单元区具有N型区以及P型区;
多个鳍状结构,设置在该标准单元区中,该多个鳍状结构平行于该第一方向;
栅极结构,设置在该标准单元区中,位于该鳍状结构上且平行于该第二方向;
两个短接触插栓以及两个长接触插栓,设置在该标准单元区中,该两个长接触插栓位于该栅极结构的一侧,该两个短接触插栓位于该栅极结构的另一侧;
栅极接触插栓,设置在该栅极结构上;
多个通孔插栓,设置在该两个长接触插栓、该两个短接触插栓及该栅极接触插栓上并与之电连接,其中所述多个通孔插栓中的一个电连接至在该N型区或该P型区外的该长接触插栓,且所述多个通孔插栓中的另一个电连接至在该N型区或该P型区内的该短接触插栓,且电连接至该长接触插栓和该短接触插栓的所述两个通孔插栓的位置不互相对称;以及
金属层,设置在该多个通孔插栓上并与之电连接,该金属层包含该第一金属线、该第二金属线、一第三金属线以及一第四金属线。
2.如权利要求1所述的集成电路,其中该组第一虚置栅极包含两个彼此不接触的该第一虚置栅极,该组第二虚置栅极包含两个彼此不接触的该第二虚置栅极。
3.如权利要求1所述的集成电路,其中该P型区具有N个该鳍状结构,该N型区具有M个该鳍状结构,N与M都为奇数,且N大于或等于M。
4.如权利要求1所述的集成电路,其中该两个长接触插栓位于该第一方向上的投影完全重叠,该两个短接触插栓位于该第一方向上的投影完全重叠。
5.如权利要求1所述的集成电路,其中一个该长接触插栓以及一个该短接触插栓穿越过该P型区,另一个该长接触插栓与另一个该短接触插栓穿越该N型区。
6.如权利要求1所述的集成电路,其中该两个长接触插栓还进一步延伸至该标准单元区外。
7.如权利要求1所述的集成电路,其中该多个通孔插栓包含两个短通孔插栓、两个长通孔插栓以及一栅极通孔插栓。
8.如权利要求7所述的集成电路,其中该第一金属线连接其中一个该长通孔插栓,该第二金属线连接另外一个该长通孔插栓。
9.如权利要求8所述的集成电路,其中该第三金属线连接该栅极通孔插栓。
10.如权利要求8所述的集成电路,其中该第四金属线连接该两个短通孔插栓。
11.一种具有标准单元的集成电路,包含:
第一金属线以及第二金属线,两者沿着一第一方向平行;
一组第一虚置栅极以及一组第二虚置栅极,沿着一第二方向延伸,其中该第一金属线、该第二金属线、该组第一虚置栅极以及该组第二虚置栅极包围的区域定义为一标准单元区,该标准单元区包含N型区以及P型区;
多个鳍状结构,设置在该标准单元区中,该多个鳍状结构平行于该第一方向;
两个栅极结构,设置在该标准单元区中,位于该多个鳍状结构上且平行于该第二方向;
三个短接触插栓以及三个长接触插栓,设置在该标准单元区中,其中两个该长接触插栓位于一个该栅极结构与该组第一虚置栅极结构之间,两个该短接触插栓位于两个该栅极结构之间,一个该长接触插栓与一个该短接触插栓位于另一个该栅极结构与该组第二虚置栅极之间;
两个栅极接触插栓,分别设置在该两个栅极结构上;
多个通孔插栓,设置在该三个长接触插栓、该三个短接触插栓以及该两个栅极接触插栓上并与之电连接;以及
金属层,设置在该多个通孔插栓上,该金属层包含该第一金属线、该第二金属线、一第三金属线、一第四金属线以及一第五金属线。
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