[发明专利]一种LED芯片光功率的测试方法

权利要求书

1.一种LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括以下步骤：

步骤1、在相同条件下生长待测试LED芯片和纯热阻芯片，其中，纯热阻芯片在生长发光量子阱时不进行In掺杂，以保证纯热阻芯片工作时不会发光以及所述待测试LED芯片和纯热阻芯片的衬底材质、导电材质、外观形貌均一致；

步骤2、在相同条件下计算待测试LED芯片的输入功率W₁和纯热阻芯片的输入功率W₂，具体步骤如下：

步骤21、制作两个相同的金属散热底座，在两个金属散热底座的相同位置均开孔，放入测温热电偶探头并连接相同的测温设备；

步骤22、将相同数量的纯热阻芯片和待测试LED芯片使用相同的工艺固定在金属散热底座上，并将金属散热底座放在相同的环境中；

步骤23、将待测试LED芯片点亮，至温度达到平衡，记录温度T及待测试LED芯片的输入电流I₁和输入电压Vf₁；

步骤24、调整纯热阻芯片输入电流，直至温度达到平衡时T₁＝T，记录纯热阻芯片的输入电流I₂和输入电压Vf₂；

步骤25、计算待测试LED芯片的输入功率W₁＝Vf₁×I₁，计算纯热阻芯片的输入功率W₂＝Vf₂×I₂；所述纯热阻芯片的输入功率W₂即待测试LED芯片的热功率；步骤3、计算待测试LED芯片的光功率P，待测试LED芯片的光功率P＝待测试LED芯片的输入功率W₁－纯热阻芯片的输入功率W₂。

2.根据权利要求1所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述相同条件还包括采用相同工艺同批次进行待测试LED芯片和纯热阻芯片的材料生长。

3.根据权利要求1所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，在所述步骤21中，所述孔的深度为25mm，所述孔的直径与所述测温热电偶探头相适配。

4.根据权利要求1所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，在所述步骤21中，切割两块大小相同的铝块制作所述金属散热底座。

5.根据权利要求4所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，所述铝块的尺寸为50×50×50mm。

6.根据权利要求1所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，在所述步骤22中，将尺寸相同的待测试LED芯片和纯热阻芯片使用银胶分别固定在金属散热底座上。

7.根据权利要求1所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，在所述步骤22中，使用金线焊接待测试LED芯片和纯热阻芯片，并引出待测试LED芯片和纯热阻芯片的正负极。

8.根据权利要求7所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，所述待测试LED芯片和纯热阻芯片的正负极均连接可调输入电源。

9.根据权利要求1所述的LED芯片光功率的测试方法，其特征在于，在所述步骤23中，使用正常驱动电流点亮待测试LED芯片。