[发明专利]彩膜基板的制作方法在审
申请号: | 201710828379.9 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN107591430A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 李文杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种彩膜基板的制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)以其良好的自发光特性、优越的对比度、快速响应以及柔性显示等优势,得到了广泛的应用。
OLED实现全才的方式有以下集中:a、采用红绿蓝三种有机发光材料直接发光;b、白色有机发光器件(white organic light-emitting diode,WOLED)+彩膜(Colour filter,CF);c、光色转换法+蓝色发光层加光色转换层。
目前OLED中彩膜的涉及需要参照液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)彩膜设计;LCD中需要采用彩膜实现全彩显示,彩膜基板1一般包括黑色矩阵12(Black Matrix,BM),RGB色阻13以及保护层14、支撑柱15(Photo spacer,PS),具体结构如图1所示。
现有OLED结构中支撑柱15位于保护层14之上,这样容易使得WOLED与彩膜基板1的间距增大,造成混色风险,并且支撑柱15一般为有机光阻,呈现淡黄色,有一定的透光性。
发明内容
本发明提供一种彩膜基板的制作方法,能够在仅改变支撑柱设置的情况下减小彩膜基板的厚度,同时改善光线透过彩膜基板发生的混色问题,进而提高了显示器件的显示质量。
本发明提供了一种彩膜基板的制作方法,所述彩膜基板的制程包括如下步骤:
步骤S10、提供一基板,所述基板包括彩膜区域和黑色矩阵区域;
步骤S20、在所述基板表面沉积黑色矩阵层,对所述黑色矩阵层进行图形化处理形成黑色矩阵,以将所述彩膜区域的所述黑色矩阵层全部去掉;
步骤S30、在所述基板的所述彩膜区域涂布RGB色阻;
步骤S40、在所述黑色矩阵表面对应形成支撑柱,所述支撑柱采用遮光性材料制备;
步骤S50、在所述基板的上方形成保护层,所述保护层整面覆盖所述黑色矩阵、所述支撑柱和所述RGB色阻。
其中,采用遮光性材料制备的所述支撑柱设置于所述黑色矩阵的表面用于防止光线透过RGB色阻发生混色。
根据本发明一优选实施例,所述支撑柱的制备材料为有机光阻、黑色框胶、不透光金属、金属氧化物和氮化物中的其中一者。
根据本发明一优选实施例,所述支撑柱为有机光阻,采用喷嘴印刷技术或墨水喷射印刷技术将所述支撑柱制备在所述黑色矩阵表面。
根据本发明一优选实施例,所述支撑柱由有机物溶液涂布形成,所述支撑柱是通过在所述黑色矩阵表面涂布有机物溶液的同时对所述有机物溶液进行固化来形成的。
根据本发明一优选实施例,所述支撑柱为不透光金属或者金属氧化物,采用热蒸镀技术、磁控溅射技术、化学气相沉积技术和原子层沉淀技术的其中一者将所述支撑柱设置在所述黑色矩阵表面。
根据本发明一优选实施例,所述支撑柱的长度与所述RGB色阻长边长度相同。
根据本发明一优选实施例,覆盖于所述支撑柱的保护层为一层致密的氧化物薄膜,所述氧化物为氧化硅和氧化铝的其中一者或两者。
根据本发明一优选实施例,采用溅射镀膜技术、气相沉积技术或原子层沉积技术制备所述保护层。
根据本发明一优选实施例,所述基板为刚性衬底或者柔性衬底。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S20中形成黑色矩阵的步骤包括:
在所述基板表面依次经过涂布、预烘烤、曝光、显影和再烘烤制程形成所述黑色矩阵。
本发明提供一种彩膜基板的制作方法,通过将不透光的支撑柱设置在黑色矩阵的上面,能够减小彩膜基板的厚度,同时改善光线透过彩膜基板发生的混色问题,进而提高了显示器件的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中彩膜基板的结构示意图;
图2为本发明实施例的彩膜基板的制作流程图;
图3为本发明实施例的彩膜基板的结构示意图;
图4a-4d为本发明实施例的彩膜基板的制作流程结构示意图;
图5为本发明实施例的彩膜基板的俯视结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的