[发明专利]一种富硅莴苣的种植方法在审

专利信息
申请号: 201710825896.0 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107593403A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 佛山市三水区嘉信农业技术研究院(普通合伙)
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;C05G1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528000 广东省佛山市三水区白坭镇三*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 莴苣 种植 方法
【权利要求书】:

1.一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)种子催芽:将种子在水中浸种4-5小时后捞起,用透气容器装好放入冷藏室,冷藏室温度为5-8℃,24-36小时后取出用水清洗,再用阿魏酸浸放入冷藏室至种子80%露白;

(2)幼苗培育:用128孔穴盘育苗,至莴苣幼苗具2叶1心时,浇育苗营养液至基质完全湿润;

(3)幼苗移栽:栽培覆上基质,用基肥营养液润湿基质,莴苣幼苗具3-4片真叶时定植到栽培上,株距30-40cm,定植后覆基质1-2cm,用基肥营养液润湿基质;

(4)追肥:分别在定植40-50天和定植55-65天时用营养液,两次追肥相隔15天;

(5)管理:种植温度控制在18-24℃;所有营养液使用前先通气1-2小时;每天用清水润湿基质1次;定植60天前每2天用基肥营养液润湿基质1次,定植60天后每天用基肥营养液润湿基质1次;

(6)采收:定植后90-110天,莴苣成熟后采收。

2.根据权利要求1所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(1)中的阿魏酸浓度为9.71-97.1mg/L。

3.根据权利要求1所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(2)中的育苗营养液包括以下成分:

硝酸钙80-160mg/L、

硝酸钾161.8-242.4mg/L、

磷酸二氢钾20-30mg/L、

磷酸氢二胺30.8-45.9mg/L、

硫酸镁98.6-147.9mg/L、

Fe-EDTA6-9mg/L、

硼酸0.57-0.86mg/L、

硫酸锰0.43-0.64mg/L、

硫酸锌0.04-0.06mg/L、

硫酸铜0.01-0.03mg/L、

钼酸铵0.01-0.03mg/L。

4.根据权利要求1所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(2)中用128孔穴盘育苗的具体操作包括:

a.穴盘底部先铺一层报纸,将草炭和珍珠岩混合基质装入穴盘里,至穴盘上沿0.5-1.0cm;

b.将种子均匀撒在基质上,用种量为9g/m2,播种后覆上基质,沿穴盘上沿刮平除去多余基质;

c.浇水至基质完全湿润。

5.根据权利要求3所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述的草炭和珍珠岩混合基质中,草炭和珍珠岩比例为2:1,且基质使用前用5%次氯酸钠消毒1-2小时。

6.根据权利要求3所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述的浇水至基质完全湿润有两个操作方法,选其中之一:

a.将育苗盘水平地置于水中,注意水深不能浸过育苗盘高度,让水从盘地慢慢渗入,直到基质完全湿润,取出育苗盘;

b.覆盖1-2层报纸在育苗盘上,然后用喷壶向报纸上洒水,重复2-3次,待基质完全润湿后,取下报纸。

7.根据权利要求1所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(3)中的基质可以是炉渣:玉米秸秆:菇渣=5:3:2、炉渣:葵花秸秆:菇渣=5:3:2或砻糠灰:锯木屑=3:1混合拌匀。

8.根据权利要求1中所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(3)中的基肥营养液包括以下成分:

硝酸钙350-614.6mg/L、

硝酸钾337.4-425mg/L、

硝酸铵35-71.4mg/L、

尿素196-309.6mg/L、

硫酸镁180-241mg/L、

硫酸钾50-72mg/L、

Fe-EDTA10-24mg/L、

硼酸2-4.8mg/L、

硫酸锰1-3.6mg/L、

硫酸锌0.12-0.32mg/L、

硫酸铜0.05-0.12mg/L、

钼酸铵0.02-0.05mg/L。

9.根据权利要求1中所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(4)中的追肥营养液包括以下成分:

硝酸钾273.9-376mg/L、

磷酸二氢钾15.1-20.8mg/L、

硝酸铵10.2-14.1mg/L、

硅酸钾36.7-51mg/L。

10.根据权利要求1中所述的一种富硅莴苣种植方法,其特征在于,所述步骤(4)中追肥营养液的使用方法为:茎用莴苣第一次追肥时在根部追肥,第二次追肥时将所述的追肥营养液稀释10倍后在莴苣叶面上喷施;叶用莴苣两次追肥都将所述的追肥营养液稀释10倍后在莴苣叶面喷施。

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