[发明专利]一种多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体为一种多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置。

背景技术

目前多晶硅的生产主要采用西门子法，在1080～1100℃的高温下，生成的硅沉积在发热体硅芯上，反应产物氯化氢气体则被排出，氯化氢合成炉用于将氯气、氢气燃烧制得氯化氢气体，合成炉在合成氯化氢时放出大量的热，炉内温度在2000℃由反应器内排出的气体都携带有大量的热量，目前对这一部分热量的不能有效地利用，这就会造成了一种能源、资源的浪费，这些热量利用起来相当可观，同时排放气体也会造成一定的噪音污染，影响生产现场操作人员的身体健康，并存在一定的安全隐患。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置，解决了现有设备余热回收效果差的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置，包括机体，所述机体的一端固定连接有贯穿并延伸至机体内部的进气管，所述机体的内部设置有隔热层，所述隔热层的内部开设有第一回收腔，所述第一回收腔的内部固定连接有换热管道，所述换热管道的两端均固定连接有连接法兰，所述换热管道的一端通过连接法兰固定连接有进水口，所述进水口的一端固定连接有上集水箱，所述换热管道的另一端通过连接法兰固定连接有出水口，所述出水口的一端固定连接有下集水箱，所述第一回收腔远离进气管的一侧固定连接有出气管，所述第一回收腔的一侧设置有位于机体内部的第二回收腔，所述出气管的一端固定连接有位于第二回收腔内部的气泵，所述气泵的一端通过第一水管固定连接有净化水箱，所述净化水箱通过第二水管固定连接有消音装置。

优选的，所述消音装置包括第一消声室，所述第一消声室的内部设置有消声片，所述第一消声室的出口固定连接有吸音棉，所述吸音棉的下表面固定连接有第二消声室，所述第二消声室的外侧设置有消声壁，所述第二消声室的底端固定连接有出气口。

优选的，所述出气管的内部依次固定连接有过滤网层、活性炭层和滤纸层。

优选的，所述第一水管远离气泵的一端延伸至净化水箱的液体内。

优选的，所述隔热层为石棉板。

优选的，所述消声片的数量为五个，五个消声片等间距固定连接在第一消声室内壁的两侧。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置，具备以下有益效果：

1、该多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置，通过设置换热管道，换热效率高，可以大幅度回收氯化氢合成炉燃烧废气中的热能，在换热管道中灌入冷水，高温的气体在经过第一回收腔时，冷水吸收气体的温度对气体进行冷却降温，同时冷水利用气体的温度提升水温，通过出水口流出用于其它生产工序，从而保证了该多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置的回收效果。

2、该多晶硅生产用氯化氢合成炉节能装置，通过设置净化水箱，可以使处理后的气体中的烟尘或是与水溶液发生反应的气体被清除干净，通过设置消声片，消声片等间距固定连接在第一消声室内壁的两侧，保证了气体通过第一消声室时，五个消声片依次对通过的气体进行降噪，达到了对气体进行消声的效果。

附图说明

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明消音装置结构示意图。

图中：1机体、2进气管、3第一回收腔、4隔热层、5换热管道、6连接法兰、7进水口、8出水口、9上集水箱、10下集水箱、11出气管、12过滤网层、13活性炭层、14滤纸层、15气泵、16第二回收腔、17第一水管、18 消音装置、181第一消声室、182消声片、183吸音棉、184第二消声室、185 消声壁、186出气口、19净化水箱、20第二水管。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。