[发明专利]一种多路集成窄脉冲半导体激光器

说明书

本发明适用于光电技术领域，提供一种多路集成窄脉冲半导体激光器，包括激光器管壳、驱动电路板和多个激光器单元；每一个激光器单元包括一个功率管、一个高压电容和一组激光器芯片组，功率管和高压电容均设置在驱动电路板上，驱动电路板设置在激光器管壳上；功率管的栅极分别输入激光控制信号，功率管的漏极分别与对应的激光器芯片组的负极连接，功率管的源极和对应的高压电容的第一连接端连接，高压电容的第二连接端和对应的激光器芯片组的正极连接，高压电容的第二连接端接入高压电源。由于采用功率管器件、激光器芯片组、多个激光器单元集成在驱动电路板上，能够提高激光器探测距离和探测精度。

技术领域

本发明属于光电技术领域，尤其涉及一种多路集成窄脉冲半导体激光器。

背景技术

脉冲半导体激光器因其体积小、可靠性性高等特点，已广泛应用于民用测距、民用探测、激光引信、激光制导等军事领域。

随着激光器的发展，对激光器的探测距离和探测精度提出了越来越来高的要求，进而对激光器的光源提出了更高的要求。目前现有的脉冲半导体激光器基本为单路脉冲半导体激光器，但是单路脉冲半导体激光器的探测距离和探测精度有限，已经无法满足人们对脉冲半导体激光器探测距离和探测精度越来越高的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种多路集成窄脉冲半导体激光器，本激光器的集成了多路激光器单元，能够提高激光器探测距离和探测精度。

本发明实施例提供一种多路集成窄脉冲半导体激光器，包括：包括激光器管壳、驱动电路板和多个激光器单元；每一个激光器单元包括一个功率管、一个高压电容和一组激光器芯片组，各个激光器单元的功率管和高压电容均设置在驱动电路板上，所述驱动电路板设置在所述激光器管壳上；

各个激光器单元的功率管的栅极分别输入激光控制信号，各个激光器单元的功率管的漏极分别与对应的激光器芯片组的负极连接，各个激光器单元的功率管的源极和对应的高压电容的第一连接端连接，各个激光器单元的高压电容的第二连接端和对应的激光器芯片组的正极连接，所述高压电容的第二连接端接入高压电源。

进一步地，所述激光器还包括陶瓷板，各个激光器单元的激光器芯片组设置在所述陶瓷板上，所述陶瓷板设置在所述激光器管壳上。

进一步地，所述激光器芯片组包括至少两个相互串联的第一激光器芯片和第二激光芯片，所述第一激光芯片的正极与所述第二激光芯片的负极连接，所述第一激光芯片的负极为所述激光器芯片组的负极，所述第二激光芯片的正极为所述激光器芯片组的正极。

进一步地，所述功率管为氮化镓P型MOS管或氮化镓N型MOS管。

进一步地，所述驱动电路板为PCB电路板。

进一步地，在第一预设焊接温度采用金锡焊料将各个激光器单元的激光器芯片组分别与所述陶瓷板焊接。

进一步地，在第二预设焊接温度采用锡银铜焊膏将氮化镓功率管和高压电容与所述驱动电路板焊接。

进一步地，在第三预设焊接温度采用铅锡焊膏将驱动电路板和陶瓷板与激光器管壳焊接。

进一步地，所述激光器单元个数为6个。

进一步地，所述高压电容的第一连接端接地。