[发明专利]一种多路集成窄脉冲半导体激光器

权利要求书

1.一种多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，包括：激光器管壳、驱动电路板和多个激光器单元；每一个激光器单元包括一个功率管、一个高压电容和一组激光器芯片组，各个激光器单元的功率管和高压电容均设置在驱动电路板上，所述驱动电路板设置在所述激光器管壳上；

各个激光器单元的功率管的栅极分别输入激光控制信号，各个激光器单元的功率管的漏极分别与对应的激光器芯片组的负极连接，各个激光器单元的功率管的源极和对应的高压电容的第一连接端连接，各个激光器单元的高压电容的第二连接端和对应的激光器芯片组的正极连接，所述高压电容的第二连接端接入高压电源；

所述激光器芯片组包括至少两个相互串联的第一激光器芯片和第二激光芯片，所述第一激光芯片的正极与所述第二激光芯片的负极连接，所述第一激光芯片的负极为所述激光器芯片组的负极，所述第二激光芯片的正极为所述激光器芯片组的正极。

2.根据权利要求1的所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，还包括陶瓷板，各个激光器单元的激光器芯片组设置在所述陶瓷板上，所述陶瓷板设置在所述激光器管壳上。

3.根据权利要求1所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，所述功率管为氮化镓P型MOS管或氮化镓N型MOS管。

4.根据权利要求1所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，所述驱动电路板为PCB电路板。

5.根据权利要求2所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，在第一预设焊接温度采用金锡焊料将各个激光器单元的激光器芯片组分别与所述陶瓷板焊接。

6.根据权利要求1至4任一项所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，在第二预设焊接温度采用锡银铜焊膏将氮化镓功率管和高压电容与所述驱动电路板焊接。

7.根据权利要求1至4任一项所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，在第三预设焊接温度采用铅锡焊膏将驱动电路板和陶瓷板与激光器管壳焊接。

8.根据权利要求1至4任一项所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，所述激光器单元个数为6个。

9.根据权利要求1至4任一项所述的多路集成窄脉冲半导体激光器，其特征在于，所述高压电容的第一连接端接地。