[发明专利]半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及其切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及半导体晶圆的切割方法。

背景技术

一般，半导体晶圆到半导体芯片的单片化，是通过对以纵横排列多个半导体芯片区域和多个切割线而形成的半导体晶圆，沿着切割线切割而进行的。

已知在这样的切割工序中，容易在半导体芯片的角部发生缺口或裂痕等（以下也统称为“破片”）。

作为这样的防止破片的方法，在专利文献1中提案了在进行单片化之前，在切割线的交点先形成对单片化的半导体芯片的4个角部进行倒角的贯通孔。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2009－99681号公报。

发明内容

【发明要解决的课题】

然而，在专利文献1的方法中，在切割线的交点对半导体芯片的全部的角进行倒角，所以倒角后的部分会成为非有效区域（不配置/不能配置电路元件的区域），因此，半导体芯片内的有效区域（配置电路元件的区域）会减少。因而，为了确保必要的有效区域，必须增大芯片尺寸。

因此，本发明的目的在于提供能够充分地确保半导体芯片的有效区域，并且防止破片的半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及半导体晶圆的切割方法。

【用于解决课题的方案】

本发明的半导体芯片的特征在于：具有矩形形状，并且具备：非有效区域，仅在位于任意一边的两端的二个角部设置，且没有配置电路元件；以及有效区域，在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置，且配置有电路元件。

另外，本发明的半导体晶圆的特征在于：具有在第一方向及与该第一方向垂直的第二方向交替排列而配置的多个半导体芯片区域及多个切割线，所述多个半导体芯片区域各自具有矩形形状，并且包含：非有效区域，仅在位于沿着所述第一方向的一边的两端的二个角部设置，且没有配置电路元件；以及有效区域，在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置，且配置有电路元件，各半导体芯片区域的所述一边，与在所述第一方向上以相同列并排的其他半导体芯片区域的所述一边位于同一直线上，所述非有效区域在所述第二方向上以等间隔配置。

另外，本发明的半导体晶圆的切割方法，其特征在于具有：准备多个半导体芯片区域和多个切割线交替地沿纵横排列而配置的半导体晶圆的工序；利用切割刀沿着所述多个切割线之中的在第一方向延伸的切割线进行切割，使所述半导体晶圆成为长条状的第一切割工序；以及利用切割刀沿着所述多个切割线之中的在与所述第一方向垂直的第二方向延伸的切割线进行切割，使所述半导体晶圆单片化为多个半导体芯片的第二切割工序，所述多个半导体芯片区域各自具有矩形形状，并且具备：非有效区域，仅在正对所述第二切割工序中所述切割刀的前进方向的二个角部配置，且没有配置电路元件；以及有效区域，在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置，且配置有电路元件。

【发明效果】

在本发明中，并非在半导体芯片区域的全部四个角设置非有效区域，而是仅在正对切割刀的前进方向的角部即位于半导体芯片区域的一边的两端的二个角部设置非有效区域。因而，防止破片，并且剩余的二个角部能够作为有效区域而使用，因此能够减小芯片尺寸。

附图说明

【图1】是本发明的第一实施方式的半导体晶圆的局部放大图。

【图2】是用于说明图1所示的半导体晶圆的切割工序的局部放大图。

【图3】是本发明的第二实施方式的半导体晶圆的局部放大图。

【图4】是用于说明图3所示的裂缝阻止区域的截面图。

【图5】是示出本发明的实施方式中的非有效区域的其他例子的局部放大图。

【图6】是示出本发明的实施方式中搭载有单片化的半导体芯片、树脂密封的半导体装置的概略俯视图。

【图7】是示出本发明的第二实施方式的半导体晶圆的变形例的局部放大图。

【图8】是用于说明将半导体晶圆单片化为半导体芯片的一般的方法的图。

【图9】是用于说明将半导体晶圆单片化为半导体芯片的一般的方法的图。

【图10】是用于说明将半导体晶圆单片化为半导体芯片的一般的方法的图。

【图11】是用于说明在将半导体晶圆单片化为半导体芯片的一般的方法中产生的问题的图。

【具体实施方式】

在说明本发明的实施方式之前，说明本发明人想到本发明的过程。

图8～10是用于说明将半导体晶圆（半导体衬底）单片化为半导体芯片的一般的方法的图。