[发明专利]半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及其切割方法有效
申请号: | 201710822546.9 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107818949A | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 宇都宫裕之 | 申请(专利权)人: | 精工半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/78 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,郑冀之 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 装置 及其 切割 方法 | ||
1.一种半导体芯片,其特征在于:
具有具有四边的矩形形状的主面,
所述主面具备:非有效区域,仅在位于所述四边之中任意一边的两端的二个角部设置,且没有配置电路元件;以及
有效区域,在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置,且配置有电路元件。
2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:所述非有效区域各自的形状为在对于所述任意一边垂直的方向具有长边、且直角部与所述角部一致的直角三角形。
3.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:所述非有效区域各自具有由第一直线部和比该第一直线部长的第二直线部构成的直角部,所述直角部与所述角部一致,所述第一直线部沿着所述任意一边而对位,且是面积比通过连接所述第一直线部的与所述直角部相反侧的端部和所述第二直线部的与所述直角部相反侧的端部的直线、所述第一直线部、和第二直线部形成的直角三角形小的形状。
4.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:沿着所述非有效区域和所述有效区域的各边界部设有裂缝阻止区域。
5.如权利要求4所述的半导体芯片,其特征在于:所述裂缝阻止区域具有设置在所述半导体芯片表面的壁状构造物、槽或阶梯差。
6.一种半导体装置,树脂密封了权利要求1至5的任一项所述的半导体芯片。
7.一种半导体晶圆,其特征在于:
具有在第一方向及与该第一方向垂直的第二方向交替排列而配置的多个半导体芯片区域及多个切割线,
所述多个半导体芯片区域各自具有矩形形状,并且包含:非有效区域,仅在位于沿着所述第一方向的一边的两端的二个角部设置,且没有配置电路元件;以及有效区域,在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置,且配置有电路元件,
各半导体芯片区域的所述一边,与在所述第一方向上以相同列并排的其他半导体芯片区域的所述一边位于同一直线上,
所述非有效区域在所述第二方向上以等间隔配置。
8.如权利要求7所述的半导体晶圆,其特征在于:所述非有效区域各自的形状为在所述第二方向具有长边、且直角部与所述角部一致的直角三角形。
9.如权利要求7所述的半导体晶圆,其特征在于:所述非有效区域各自具有由与所述第一方向平行的第一直线部和比该第一直线部长且与所述第二方向平行的第二直线部构成的直角部,所述直角部与所述角部一致,且是面积比通过连接所述第一直线部的与所述直角部相反侧的端部和所述第二直线部的与所述直角部相反侧的端部的直线、所述第一直线部、和第二直线部形成的直角三角形小的形状。
10.如权利要求7所述的半导体晶圆,其特征在于:沿着所述非有效区域和所述有效区域的各边界部设有裂缝阻止区域。
11.如权利要求10所述的半导体晶圆,其特征在于:所述裂缝阻止区域具有设置在所述半导体芯片区域表面的壁状构造物、槽或阶梯差。
12.一种半导体晶圆的切割方法,其特征在于具有:
准备多个半导体芯片区域和多个切割线交替地沿纵横排列而配置的半导体晶圆的工序;
利用切割刀沿着所述多个切割线之中的在第一方向延伸的切割线进行切割,使所述半导体晶圆成为长条状的第一切割工序;以及
利用切割刀沿着所述多个切割线之中的在与所述第一方向垂直的第二方向延伸的切割线进行切割,使所述半导体晶圆单片化为多个半导体芯片的第二切割工序,
所述多个半导体芯片区域各自具有矩形形状,并且具备:非有效区域,仅在正对所述第二切割工序中的所述切割刀的前进方向的二个角部配置,且没有配置电路元件;以及有效区域,在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置,且配置有电路元件。
13.如权利要求12所述的半导体晶圆的切割方法,其特征在于:所述非有效区域各自的形状为在所述第二方向具有长边、且直角部与所述角部一致的直角三角形。
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