[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，包含：

提供一多层结构位于一基底上，该多层结构至少包含有一第一介电层，一第二介电层位于该第一介电层上，以及一非晶硅层位于该第二介电层上；

进行一第一蚀刻步骤，移除部分该非晶硅层与部分该第二介电层，以形成一第一凹槽位于该非晶硅层与该第二介电层中，该第一凹槽曝露出部分该第一介电层；

形成一掩模层于该第一凹槽中，其中该掩模层完全覆盖该第一介电层；

进行一第二蚀刻步骤，移除部分该掩模层，并再次曝露出该第一介电层表面；以及

进行一第三蚀刻步骤，以剩余的该掩模层为一掩模，移除部分该第一介电层，以于该第一介电层中形成一第二凹槽，

其中该制作方法还包含形成一硼磷硅玻璃(BPSG)层位于该第一介电层下方，以及一接触结构位于该硼磷硅玻璃层下方。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一凹槽具有一第一内径宽度，该第二凹槽具有一第二内径宽度，该第一内径宽度大于该第二内径宽度。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一凹槽具有一第一内径宽度，该第二凹槽具有一第二内径宽度，该第一内径宽度等于该第二内径宽度。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一介电层为一氧化层。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二介电层为一碳氮化硅层。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中在该第三蚀刻步骤之后，还包含进行一第四蚀刻步骤，形成一第三凹槽于该硼磷硅玻璃层中，该第三凹槽曝露出该接触结构。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该接触结构至少包含有一钨导电层。

8.如权利要求6所述的制作方法，其中该第四蚀刻步骤进行后，仍有部分该掩模层存在于该第二介电层的侧面。

9.如权利要求1所述的制作方法，其中该掩模层的材质包含有金属氮化物层。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中移除部分该掩模层的步骤包含利用一氯气对该掩模层进行蚀刻步骤。

11.如权利要求1所述的制作方法，其中移除部分该非晶硅层的步骤包含利用一氯气与溴化氢气体对该非晶硅层进行蚀刻步骤。

12.如权利要求1所述的制作方法，其中移除部分该第二介电层的步骤包含有利用一含氟气体对该第二介电层进行蚀刻步骤。

13.如权利要求1所述的制作方法，其中在该第二蚀刻步骤之后，剩余的该掩模层包含有一突出部，且该剩余的掩模层具有一L型剖面结构。