[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

在所述基底的表面形成低K介质层；

刻蚀所述第一区域和第二区域的低K介质层，在第一区域的低K介质层中形成若干对第一开口，在第二区域的低K介质层中形成若干凹槽；

在若干对第一开口以及若干凹槽中填充金属，在第一区域的低K介质层中形成若干电容器的两个相对电极板，在第二区域的低K介质层中形成若干互连结构；

去除第一区域的相对的两个电极板之间的低K介质层，在相对的两个电极板之间形成第二开口；

在第二开口内填充高K介质层，所述高K介质层作为电容器的介电材料层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除相对的两个电极板之间的低K介质层时，仅去除相对的两个电极板之间的低K介质层，相对的两个电极板之外的第一区域的低K介质层保留。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除相对的两个电极板之间的低K介质层时，除了去除相对的两个电极板之间的低K介质层，相对的两个电极板之外的第一区域的低K介质层也被去除。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第二开口内填充高K介质层时，在相对的两个电极板之外的第一区域也同时填充高K介质层。

5.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，不同电容器的两个相对电极板排布方向不同。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，某一电容器的两个相对电极板沿第一方向排布时，相邻的另一电容器的两个相对的电极板沿第二方向排布，第一方向与第二方向相互垂直。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充高K介质层的过程包括：形成覆盖所述低K介质层、相对的电极板和互连结构表面并填充满第二开口的高K介质材料层；平坦化所述高K介质材料层至暴露出低K介质层的表面，在第二开口中形成高K介质层。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

位于基底的第一区域表面的低K介质层或高K介质层；位于基底的第二区域表面的低K介质层；

位于基底的第一区域表面的低K介质层或高K介质层中的若干电容器，每个电容器包括位于基板表面的两个相对电极板以及位于两个相对的电极板之间的高K介质层；

位于基底的第二区域表面的低K介质层中的若干互连结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，不同电容器的两个相对电极板排布方向不同。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，某一电容器的两个相对电极板沿第一方向排布时，相邻的另一电容器的两个相对的电极板沿第二方向排布，第一方向与第二方向相互垂直。