[发明专利]调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法

说明书

公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

本申请要求于2016年9月20日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0120308号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及制造校正其特征尺寸的标线。

背景技术

通常，制造半导体器件的工艺可以包括多个单元工艺，所述单元工艺包括薄膜沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。光刻工艺可以包括使用曝光系统来执行的曝光工艺。曝光系统可以包括标线(reticle)，可以在标线中设置金属标线图案。

发明内容

根据发明构思的实施例可以提供被构造为对用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸进行调整的方法、系统和计算机程序产品。

在根据发明构思的一些实施例中，调整用于制造半导体器件的标线中的标线图案的特征尺寸的方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，所述第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，所述第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

在根据发明构思的一些实施例中，校正标线图案的特征尺寸的方法可以包括获得包括在图像中的标线图案的第一特征尺寸并向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。

在根据发明构思的一些实施例中，制造标线的方法可以包括在基底上形成金属层并在金属层上形成掩模图案。可以将掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻金属层以在基底上形成标线图案。可以获得标线图案的图像连同图像中的标线图案的第一特征尺寸。向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。

在根据发明构思的一些实施例中，校正标线图案的特征尺寸的方法可以包括获得图像中的标线图案的特征尺寸的平均值，其中，所述特征尺寸对应于图像中的标线图案之间的距离。可以将平均值与目标值进行比较，当平均值大于目标值时，可以向标线图案局部地施用薄层以校正特征尺寸中的至少一个。

在根据发明构思的一些实施例中，制造半导体器件的方法可以包括将标线图案用作光掩模将光曝光在半导体基底上并在半导体基底上形成半导体器件。可以获得标线图案的图像连同图像中的标线图案的第一特征尺寸。向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。

附图说明

通过下面结合附图进行的简要说明，将更清楚地理解示例实施例。附图代表如这里所描述的非限制性示例实施例。

图1是示出根据发明构思的一些实施例的制造标线的方法的流程图。

图2至图7是顺序地示出图1的方法中的工艺步骤的剖视图。

图8是示出将要提供到图4的掩模层上的电子束的参考图的平面图。

图9是示出图1的校正标线图案的特征尺寸的步骤的示例的流程图。

图10是示出测量图6的标线图案的测量系统的示例的图。

图11是示意性示出使用图10的测量系统获得的标线图案图像的图。

图12是示出图9的获得第一特征尺寸的步骤的示例的流程图。