[发明专利]调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法

权利要求书

1.一种校正标线图案的特征尺寸的方法，所述方法包括：

获得标线图案的图像；

获得图像中的标线图案的第一特征尺寸，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸并且确定第一特征尺寸的平均值；

获得第一特征尺寸的检测图；

将第一特征尺寸的平均值与对应于第二特征尺寸的目标值进行比较；

获得包含目标值与检测图中的标线图案的第一特征尺寸之间的差值的校正图；以及

向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸，

其中，向标线图案局部地提供等离子体的步骤包括：基于校正图，当平均值大于目标值时，在基底上与多个单元对应的每个位置处，独立地提供等离子体枪来生成等离子体，以选择性地在标线图案上形成薄层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，薄层包括氧化硅层，

第二特征尺寸与形成在标线图案的相对侧壁上的氧化硅层的面对的表面之间的距离对应。

3.如权利要求1所述的方法，其中，局部地提供等离子体的步骤包括：

当平均值小于目标值时，基于校正图来蚀刻标线图案，以提供已蚀刻的标线图案，

第二特征尺寸与已蚀刻的标线图案之间的距离对应。

4.如权利要求1所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的步骤还包括计算第一特征尺寸的离差值，

所述方法还包括基于离差值来确定是否校正第一特征尺寸。

5.如权利要求4所述的方法，其中，使用3-sigma方法计算离差值，

确定是否校正第一特征尺寸的步骤包括确定离差值是否小于3。

6.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体包括大气压等离子体或远程等离子体。

7.如权利要求1所述的方法，其中，第一特征尺寸中的每个包括与标线图案之间的距离对应的明场特征尺寸。

8.一种制造标线的方法，所述方法包括：

在基底上形成薄层；

在薄层上形成掩模图案；

将掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻薄层以在基底上形成标线图案；

获得标线图案的图像；

获得图像中的标线图案的第一特征尺寸，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸，并且确定第一特征尺寸的平均值；

获得第一特征尺寸的检测图；

将第一特征尺寸的平均值与对应于第二特征尺寸的目标值进行比较；

获得包含目标值与检测图中的标线图案的第一特征尺寸之间的差值的校正图；以及

向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸，

其中，向标线图案局部地提供等离子体的步骤包括：基于校正图，当平均值大于目标值时，在基底上与多个单元对应的每个位置处，独立地提供等离子体枪来生成等离子体，以选择性地在标线图案上形成薄层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，根据参考图来形成掩模图案。

10.如权利要求8所述的方法，其中，局部地提供等离子体的步骤包括：在标线图案上提供大气压等离子体。

11.如权利要求8所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的平均值的步骤还包括：

确定第一特征尺寸的离差值；并且

基于离差值来确定是否校正第一特征尺寸。

12.如权利要求8所述的方法，其中，薄层是金属层。