[发明专利]应变计制造的方法和系统有效
| 申请号： | 201710811754.9 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107814354B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | S·A·伯格伦 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 邓雪萌 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 制造 方法 系统 | ||
1.一种应变计制造的方法，所述方法包括：
(a)提供第一基底，所述第一基底具有空腔侧；
(b)提供第二基底，所述第二基底具有半导体侧；
(c)相对于所述第一基底定位所述第二基底，以使得所述半导体侧和所述空腔侧是可接触的； (d)处理所述第二基底以使得所述第一和第二基底基本上经由所述半导体侧和所述空腔侧结合；
(e)蚀刻所述第二基底，以限定悬置在所述第一基底的所述空腔侧之上的应变计；以及
(f)从所述第一基底移除所述应变计。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过真空装置的执行来移除所述应变计，所述真空装置包括拾取末端。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
(d)的处理限制包括：
(f)利用粘结材料来涂覆所述第二基底的一部分；以及
(g)将所述第二基底粘结于所述第一基底，以使得所述第一基底和所述第二基底基本上结合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将释放图案蚀刻到所述第二基底上以限定所述应变计。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
通过DRIE工艺来蚀刻所述释放图案；以及
所述释放图案包括矩形，所述矩形具有三个完整侧面和第四穿孔侧面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，（e)进一步包括附加地蚀刻所述第二基底，以限定多个应变计，所述多个应变计配置成减小第二基底实体。
7.一种应变计制造的方法，所述方法包括：
(a)提供第一基底，所述第一基底具有镶边空腔；
(b)提供第二基底，所述第二基底具有外延层；
(c)相对于所述第一基底定位所述第二基底，以使得所述外延层和所述空腔面向彼此；
(d)利用粘结材料来涂覆所述第二基底的所述外延层；
(e)将所述第二基底粘结于所述第一基底，以使得所述第一基底和所述第二基底基本上经由所述外延层和空腔缘部结合；以及
(f)通过DRIE工艺来蚀刻所述第二基底，以产生由释放图案限定并且悬置在所述空腔之上的多个应变计。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：(f)从所述第一基底移除所述应变计。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过真空装置的执行来移除所述应变计，所述真空装置包括拾取末端。
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