[发明专利]应变计制造的方法和系统

说明书

提供了一种应变计制造的方法。该方法包括：提供第一基底，该第一基底具有空腔侧；提供第二基底，该第二基底具有半导体侧；相对于第一基底定位第二基底，以使得半导体侧和空腔侧是可接触的；处理第二基底以使得第一和第二基底基本上经由半导体侧和空腔侧结合；以及蚀刻第二基底，以限定悬置在第一基底的空腔侧之上的应变计。

技术领域

本发明涉及应变计制造的方法和系统。

背景技术

通常要求硅应变计不超过25微米厚。要求这些应变计这样薄实现它们功能所需的弯折。这样，在应变计制造期间，处理、削薄、切割以及操纵基底已被证明困难、昂贵且费时。因此，期望能够制造应变计，而无需削薄和切割基底，且同时还允许完工应变计的易于操纵。

发明内容

这里提出应变计制造的方法。该方法包括：提供第一基底，该第一基底具有空腔侧；提供第二基底，该第二基底具有半导体侧；相对于第一基底定位第二基底，以使得半导体侧和空腔侧是可接触的；处理第二基底以使得第一和第二基底基本上经由半导体侧和空腔侧结合；以及蚀刻第二基底，以限定悬置在第一基底的空腔侧之上的应变计。

该方法可进一步包括从第一基底移除应变计。该应变计可通过实施具有拾取末端的真空装置来移除。处理限制可包括利用粘结材料来涂覆第二基底的一部分且随后将第二基底粘结于第一基底，以使得第一和第二基底基本上结合。可将释放图案蚀刻到第二基底上以限定应变计。释放图案可通过DRIE工艺蚀刻，并且该释放图案可成形为具有三个完整侧面和第四穿孔侧面的矩形。可蚀刻第二基底，以限定多个应变计，这些应变计配置成减小第二基底实体。

这里进一步提出应变计制造的系统。该系统包括第一基底和第二基底。第一基底包括空腔侧。第二基底包括半导体侧。第二基底的半导体侧配置成结合于第一基底的空腔侧。第二基底也配置成通过DRIE工艺蚀刻，以产生悬置在第一基底的空腔侧之上的应变计。

应变计可配置成能由包括拾取末端的真空装置从第一基底移除。第二基底可配置成涂覆有粘结材料。第二基底的半导体侧还可配置成经由粘结材料结合于第一基底的空腔侧。

可将释放图案蚀刻到第二基底上以限定应变计。释放图案可具有矩形，该矩形具有三个完整侧面和第四穿孔侧面。第二基底可进一步配置成附加地通过DRIE工艺蚀刻，以产生悬置在第一基底的空腔侧之上的多个应变计。多个应变计可进一步配置成减小第二基底实体。多个应变计的每个可具有释放图案，该释放图案包括矩形，该矩形具有三个完整侧面和第四穿孔侧面。

附图说明

所公开的示例之后将结合以下附图来描述，其中，类似的附图标记指代类似的元件，且附图中：

图1说明其上压印有应变计图案的第一基底晶片和第二基底晶片的俯视图；

图2A是基本上示出这里示出的应变计制造的方法的实施例的步骤的侧视图；

图2B是应变计制造方法的另一步骤的侧视图；

图2C是应变计制造方法的另一步骤的侧视图；

图2D是应变计制造方法的另一步骤的侧视图；

图2E是应变计制造方法的另一步骤的侧视图；

图3A表示其上压印有应变计的基底晶片的俯视图，该基底晶片已由已知的应变计制造方法和系统产生；以及

图3B表示其上压印有应变计的基底晶片的俯视图，该基底晶片已由这里示出的应变计制造方法和系统的实施例产生。

具体实施方式