[发明专利]一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法

权利要求书

1.一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，包括：

将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；

将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；

将经过所述第一功率超声波清洗结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡，其中，所述加热后的第三丙酮溶液的温度为70～90℃；

将经过所述第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于所述第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除所述镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。

2.如权利要求1所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡的步骤，包括：

将所述镀金属半导体片子固定在第一托架上；

通过所述第一托架将所述镀金属半导体片子浸入容置有所述常温的第一丙酮溶液的容器中进行浸泡，其中，在所述常温的第一丙酮溶液中浸泡的总时长为6～8小时。

3.如权利要求2所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗的步骤，包括：

将所述镀金属半导体片子固定在第二托架上；

通过所述第二托架将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子浸入容置有所述第二丙酮溶液的容器中；

将容置有所述镀金属半导体片子和所述第二丙酮溶液的容器置于超声波清洗机中；

所述超声波清洗机以所述第一功率超声波工作5～10分钟，以对所述镀金属半导体片子进行超声波清洗。

4.如权利要求2所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述将经过所述第一功率超声波清洗结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡的步骤，包括：

将所述镀金属半导体片子固定在第三托架上；

通过所述第三托架将经过所述第一功率超声波清洗结束后的镀金属半导体片子浸入容置有所述加热后的第三丙酮溶液的容器中进行浸泡，其中，在所述加热后的第三丙酮溶液中浸泡的总时长为10～30分钟。

5.如权利要求2所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于所述第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗的步骤，包括：

将所述镀金属半导体片子固定在第四托架上；

通过所述第四托架将经过所述加热后的第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子浸入容置有所述第四丙酮溶液的容器中；

将容置有所述镀金属半导体片子和所述第四丙酮溶液的容器置于超声波清洗机中；

所述超声波清洗机以所述第二功率超声波工作10～15分钟，以对所述镀金属半导体片子进行超声波清洗。

6.如权利要求1-5中任一所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述镀金属半导体片子具体为：金属镀层与衬底之间有粘附层的镀金属半导体片子。

7.如权利要求1-5中任一所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于：

所述第一丙酮溶液的浓度、所述第二丙酮溶液的浓度、所述第三丙酮溶液的浓度和所述第四丙酮溶液的浓度均为大于或等于99.5％。

8.如权利要求1-5中任一所述的半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于：

所述第一功率超声波的功率具体为5～15W；

所述第二功率超声波的功率具体为80～90W。