[发明专利]用于功率连接的低电流控制的方法和装置

权利要求书

1.一种用于控制电源和提供的节点之间的连接的集成电路，其包括：

控制端子，其用于耦合到第一场效应晶体管的栅极，所述第一场效应晶体管具有耦合在所述电源和所述提供的节点之间的电流传导路径；

电压速率上升基准，其具有带有可选择的上升率的输出电压；

运算放大器，其具有耦合到所述电压速率上升基准的所述输出电压的反相输入端，并且具有耦合到第二场效应晶体管的栅极的输出端，所述第二场效应晶体管的源极耦合到基准电位；

第三场效应晶体管，其具有耦合到阈值电位的栅极、耦合到所述第二场效应晶体管的漏极的源极，以及耦合到所述控制端子的漏极；

分压器，其具有耦合到所述控制端子的未分压的电压输入端和耦合到所述运算放大器的非反相输入端的分压的电压输出端；

第一电流源，其耦合在第一电位和所述控制端子之间；以及

第二电流源，其耦合在所述阈值电位和所述第三场效应晶体管的所述源极之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一场效应晶体管在与所述控制端子相同的衬底中形成。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一场效应晶体管未在与所述控制端子相同的衬底中形成。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二电流源包括：

第一电流源晶体管，其具有耦合到所述阈值电位的源极和耦合到所述第三场效应晶体管的所述源极的漏极；以及

第二电流源晶体管，其具有耦合到所述阈值电位的源极、耦合到所述第一电流源晶体管的栅极的栅极，以及耦合到所述第二电流源晶体管的所述栅极并且经由固定电流源耦合到所述基准电位的漏极。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二电流源具有比所述第一电流源更高的电流容量。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电流源由电荷泵供应。

7.一种用于控制功率晶体管的控制端子的方法，其包括：

将第一电流从第一电流源供应到功率晶体管的控制端子；以及

将第二电流通过级联晶体管从与所述第一电流源分开的第二电流源供应到所述控制端子，直到所述控制端子上的电压大于阈值电压，所述第二电流大于所述第一电流；以及

通过所述级联晶体管和反馈控制晶体管从所述控制端子排出电荷。

8.根据权利要求7所述的方法，包括选择性地控制所述控制端子上的所述电压的上升率。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述阈值电压大于所述功率晶体管的阈值电压。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一电流对所述功率晶体管的栅极到漏极电容充电，并且所述第二电流对所述功率晶体管的栅极到源极电容充电。

11.根据权利要求7所述的方法，包括通过耦合到所述控制端子的反馈回路来控制所述反馈控制晶体管。

12.根据权利要求7所述的方法，包括通过耦合到所述控制端子的反馈回路并且通过控制所述功率晶体管的斜升的电容器来控制所述反馈控制晶体管。