[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置在审
申请号: | 201710801464.6 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN107403811A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 谢蒂旎;李伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示面板中设置有像素界定层(Pixel Defining Layer,简称PDL),PDL限定出像素区域,像素区域中设置有发光功能层。在形成PDL的过程中,PDL材料中的亚克力/PI材料沉积在下面形成PDL下层结构,而PDL材料中的含氟树脂材料则上浮至表面形成了PDL上层结构。PDL下层结构的材料是亲水性的,而PDL上层结构的材料是疏水性的。
发光功能层可包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。以空穴注入层为例,由于空穴注入层的材料也是亲水性的,因此在随后的空穴注入层的沉积过程中,空穴注入层与PDL下层结构的侧面会发生浸润现象,空穴注入层在浸润作用下会沿着PDL下层结构的侧面向上攀爬,直至到达PDL下层结构和PDL上层结构的界面为止。这使得空穴注入层的形状发生了弯曲,导致空穴注入层的厚度不均。同理,其余各个发光功能层也存在厚度不均的问题。
综上,发光功能层的厚度不均,导致发光功能层的发光不均匀,从而导致像素内部发光的不均匀(主要是像素边缘区域发光不均匀),进而影响OLED器件的发光性能。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置,用于避免发光功能层发光不均匀的问题,从而提高OLED器件的发光性能。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上的第一电极和第二电极,所述第二电极位于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,第一电极和所述第二电极之间设置有像素界定层和发光功能层,所述像素界定层限定出像素区域,与所述像素区域对应位置设置有凹陷结构,所述发光功能层位于所述像素区域中,所述发光功能层的靠近所述衬底基板一侧的结构位于所述凹陷结构中。
可选地,还包括绝缘层,所述绝缘层位于所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧;
所述凹陷结构位于所述绝缘层的与所述像素区域对应位置。
可选地,所述凹陷结构的中间位置的深度大于边缘位置的深度。
可选地,所述凹陷结构的表面为弧面。
可选地,所述发光功能层包括多个子发光功能层,靠近所述第一电极设置的所述子发光功能层的靠近所述衬底基板一侧的结构位于所述凹陷结构中。
可选地,所述多个子发光功能层分别为依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层,所述空穴注入层靠近所述第一电极设置,所述空穴注入层的靠近所述衬底基板一侧的部分结构位于所述凹陷结构中。
可选地,所述子发光功能层的各个位置的厚度的差值范围为0nm至100nm。
可选地,所述子发光功能层的各个位置的厚度相同。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置,包括上述显示基板。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成第一电极;
在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层,所述像素界定层限定出像素区域,与所述像素区域对应位置设置有凹陷结构;
在所述像素区域中形成发光功能层,所述发光功能层的靠近所述衬底基板一侧的部分结构位于所述凹陷结构中。
可选地,所述在衬底基板上形成第一电极之前包括:
在所述衬底基板之上形成绝缘层,所述绝缘层位于所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧;
在所述绝缘层上形成所述凹陷结构,所述凹陷结构位于所述绝缘层的与所述像素区域对应位置。
可选地,所述在衬底基板之上形成绝缘层之前还包括:在所述衬底基板之上形成薄膜晶体管,所述绝缘层位于所述薄膜晶体管之上;
所述在所述绝缘层上形成凹陷结构的同时还包括:在所述绝缘层上形成过孔,所述第一电极通过所述过孔和所述薄膜晶体管连接。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置的技术方案中,发光功能层的靠近衬底基板一侧的结构位于凹陷结构中,使得发光功能层的厚度均匀,避免了发光功能层发光不均匀的问题,从而提高了OLED器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图;
图2为图1中凹陷结构的示意图;
图3为实施例一中OLED器件结构的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的