[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201710800919.2 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN107818912B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其中,包括:
基板保持工序,将在表面形成有多个图案的基板保持为水平;
液膜形成工序,向所述基板的上表面供给处理液,形成覆盖该基板的上表面的处理液的液膜;
液膜去除区域形成工序,从所述处理液的液膜排除一部分处理液,在所述处理液的液膜形成液膜去除区域;
液膜去除区域扩大工序,将所述液膜去除区域向所述基板的外周扩大;
氟化氢环境气体保持工序,与所述液膜去除区域扩大工序并行地,将所述液膜去除区域和所述处理液的液膜的边界周围的环境气体保持为含有氟化氢的蒸气的环境气体,
所述氟化氢环境气体保持工序包括:
去除硅氧化物的工序,所述多个图案中的规定的图案的前端部和所述多个图案中的与该图案邻接的图案的前端部经由所述硅氧化物接触;
使所述氟化氢与所述硅氧化物反应而生成的残渣蒸发来从所述基板的上表去除的工序,
所述处理液的液膜所包含的所述处理液的液温是低于所述处理液的沸点且高于所生成的所述残渣的熔点的温度。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
在所述液膜去除区域扩大工序中,所述处理液的液膜所包含的处理液的液温高于常温。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
在所述液膜形成工序中形成的所述处理液的液膜包含常温的处理液,
所述基板处理方法还包括加热工序,该加热工序与所述液膜去除区域扩大工序并行地加热所述处理液的液膜。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理方法,其中,
通过所述液膜形成工序形成的所述处理液的液膜包括含有氟酸的氟酸含有液的液膜,
所述基板的上方的空间是与该空间的周围隔断的隔断空间,
所述氟化氢环境气体保持工序包括使所述氟酸含有液的液膜所包含的氟酸在所述隔断空间内蒸发,将含有所述氟化氢的蒸气供给到所述隔断空间的工序。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其中,
所述氟酸含有液的液膜包括有机溶剂和氟酸的混合液的液膜,所述有机溶剂的表面张力低于水的表面张力。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述基板的上方的空间是与该空间的周围隔断的隔断空间,
所述氟化氢环境气体保持工序为了使所述处理液的液膜的周围保持为含有所述氟化氢的蒸气的环境气体而包括向所述隔断空间供给含有氟化氢的蒸气的氟化氢蒸气供给工序。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,
所述处理液的所述液膜是具有表面张力低于水的表面张力的有机溶剂的液膜。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,
所述含有氟化氢的蒸气包括含有机溶剂和氟化氢的蒸气,所述有机溶剂的表面张力低于水的表面张力。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中,
所述处理液的所述液膜是水的液膜。
10.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,
所述氟化氢蒸气供给工序包括向所述基板的上表面吹送所述含有氟化氢的蒸气的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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