[发明专利]半导体封装、封装上封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：

提供载体基板；

在该载体基板上形成重分布层结构，其中该重分布层结构包括：至少一凸块垫；

在该重分布层结构上安装半导体晶粒；

在该半导体晶粒以及该重分布层结构上形成模塑料；

移除该载体基板，以露出该重分布层结构的多个焊球垫；以及

于该多个焊球垫上形成多个导电结构。

2.如权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，该载体基板包括：玻璃、硅、陶瓷或金属。

3.如权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，该半导体晶粒为以其主动面面向该重分布层结构的倒装芯片，其中，多个I/O垫设置在该半导体晶粒的主动面上。

4.如权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，在每个I/O垫上设置连接元件，并且该连接元件连接至该凸块垫。

5.如权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，在该半导体晶粒和该重分布层结构上形成该模塑料之后，该方法进一步包括：在该模塑料中形成多个穿模通孔。

6.如权利要求5所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，在该模塑料中形成多个穿模通孔的步骤包括：将多个通孔钻入该模塑料中；以及使用金属来填充该多个通孔。

7.如权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，在该重分布层结构上安装该半导体晶粒之前，该方法进一步包括：在该重分布层结构上形成多个金属柱；其中该模塑料还包封该多个金属柱，并且该多个金属柱的顶面从该模塑料中露出以作为穿模通孔。

8.一种封装上封装的制造方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1～6中任一项所述的制造半导体封装的方法来形成半导体封装；

将该半导体封装切割为晶粒封装，其中该晶粒封装作为该封装上封装的底部半导体封装；以及

在该底部半导体封装上安装上部半导体封装，其中该上部半导体封装通过多个穿过该模塑料的穿模通孔电性连接至该底部半导体封装。

9.一种封装上封装的制造方法，其特征在于，包括：

形成底部半导体封装；以及

在该底部半导体封装上安装上部半导体封装，并且该上部半导体封装电性连接至该底部半导体封装；

其中，形成该底部半导体封装的步骤包括：

形成重分布层结构，其中该重分布层结构具有相对的第一表面与第二表面，并且该重分布层结构包括：至少一位于该第一表面上的凸块垫；

以倒装芯片的方式将半导体晶粒安装于该重分布层结构上，其中该半导体晶粒的主动面上设置了多个I/O垫，并且在每个I/O垫上设置连接元件，其中该连接元件连接至对应的凸块垫；

使用模塑料来封装该半导体晶粒；

在该模塑料中形成多个穿模通孔；以及

在该重分布层结构的该第二表面上形成多个导电结构；

其中，该上部半导体封装通过该多个穿模通孔电性连接至该底部半导体封装。

10.如权利要求9所述的封装上封装的制造方法，其特征在于，该连接元件包括：金属凸块或者金属柱。

11.如权利要求9所述的封装上封装的制造方法，其特征在于，该连接元件通过焊料连接至该凸块垫。

12.如权利要求9所述的封装上封装的制造方法，其特征在于，进一步包括：电子元件，安装于该重分布层结构的该第一表面上。

13.如权利要求12所述的封装上封装的制造方法，其特征在于，该电子元件包括：电容、电阻或电感。

14.如权利要求9所述的封装上封装的制造方法，其特征在于，进一步包括：

在该半导体晶粒与该重分布层结构之间插入底部填充材料。